一种用于直拉法生长单晶的坩埚制造技术

本发明专利技术公开了一种用于直拉法生长单晶的坩埚，它包括：上部圆环和采用碳-碳复合材料制成的埚底；所述上部圆环安装于埚底的上方。本发明专利技术改变传统石墨和碳-碳坩埚结构，采用上下两种材质结合拼接成坩埚，在高温下易于石英坩埚反应的部位由优良性能的碳-碳复合材料代替石墨材质从而减缓反应，大大减少了圆角R部位的开裂，延长了使用寿命，同时降低了制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能光伏行业中的坩埚，具体说是一种直拉法生长单晶热场的坩祸。
技术介绍
目前任何一种熔体生长晶体都与盛放熔体的坩埚材料密切相关。一般对坩埚的主要要求有坩埚材料在熔体中不溶或微溶、不能从坩埚引入有害杂质到熔体中去、坩埚要便于清洁处理、气孔率低、容易机械加工或成型等。基于以上原则通常作为坩埚的材料主要有钨、钼、氧化锆、氧化铝、钼、二氧化硅、石墨等。石墨材料是多晶硅、单晶硅制造业热场中耐热材料的首选基础性材料。石墨热场结构(如图1)通常由保温系统(主要有上保温盖1、下保温盖2、导流筒 12、上保温筒3、中保温筒4、下保温筒5、保温底板6等)、发热系统(加热器8)和支撑传动系统(坩埚轴7、托盘9、石墨坩埚10等)组成。在支撑传动系统中托盘置于坩埚轴之上，而石墨坩埚(一般为三瓣对称结构)分别放置并拼凑配合于托盘之上，石英坩埚安置于石墨坩埚之中，硅原料安装熔化于石英坩埚之内。在高温情况下石英坩埚处于软化状态，与石墨坩埚接触较紧密容易与石墨坩埚产生一系列化学反应如下，反应一 C(s)+Si02(s) — SiO(g) +CO(g),反应二 SiO (g)+C (s) — SiC本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于直拉法生长单晶的坩埚，其特征在于：它包括：上部圆环和采用碳－碳复合材料制成的埚底；所述上部圆环安装于埚底的上方。

【技术特征摘要】
1.一种用于直拉法生长单晶的坩埚，其特征在于它包括上部圆环和采用碳-碳复合材料制成的埚底；所述上部圆环安装于埚底的上方。2.根据权利要求1所述的一种用于直拉法生长单晶的坩埚，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴亚军，姜庆堂，冯立学，梁会宁，胡元庆，
申请(专利权)人：奥特斯维能源太仓有限公司，
类型：发明
国别省市：32