硅晶片表面的制绒方法技术

本发明专利技术公开了一种硅晶片表面的制绒方法，包括对硅晶片表面的清洗净化，将清洗净化后的硅晶片两两叠合置于气相沉积反应炉中，当气相沉积反应炉的温度控制在１０５０℃至１２００℃，真空度控制在１ｘ１０－２Ｐａ至１ｘ１０－４Ｐａ的条件下，将三氯氢硅和氢气按化学反应式满足反应所需的摩尔比的量混合，通入气相沉积反应炉中，使晶体硅沉积在两两叠合后的硅晶片外露表面，并形成硅晶粒绒面，沉积完成后，通入氮气，使气相沉积反应炉内降温升压致常温常压，取出沉积有硅晶粒绒面的硅晶片。根据本发明专利技术的硅晶片表面的制绒方法得到的硅晶粒绒面，其绒层厚５ｕｍ－８ｕｍ，硅片表面反射率波长３００ｎｍ－１１００ｎｍ内反射率平均值为７．５％－８．５％。实现了硅晶粒绒面层可控，降低了硅晶片绒面的反射率，生产工艺简单，批量生产速度快。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池生产技术，特别是一种硅晶片表面的制绒方法。 
技术介绍
目前，在硅太阳能电池的生产过程中，硅晶片表面的制绒直接影响了太阳能的吸收，已有技术的制绒面，其反射率基本都在10％-20％之间，不能满足更小的面积产生更大电能的太阳能电池发展的需要。 有中国专利申请公开说明书公开了一种反应离子刻蚀制备太阳能电池硅片绒面的方法，所公开的是采用包含至少两种含卤素的气体和氧化性气体的反应离子刻蚀气体进行晶体硅绒面制备，从公开的实施例虽然提供能将绒面反射率达到7.90％，但实际在生产中，所刻蚀的绒面均匀度是难以控制的，刻蚀形成的绒面的一致性也无法准确控制。 另有中国专利申请公开说明书公开了一种太阳能电池制造中同时形成硅片绒面及PN结的方法，其中介绍了“硅片被输送到LPCVD炉管中处理，在硅片表面同时形成绒面结构和PN结，其中可通过调节所述LPCVD的工艺参数，来控制在所述硅片表面上形成的半球形硅晶粒的尺寸和取向，所述绒面结构是由半球形硅晶粒薄层构成的”。其实，在不确定的条件下，硅片被输送到LPCVD炉管中处理，是不一定能达到所需的“所述硅片表面上形成的半球形硅晶粒的尺寸和取本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅晶片表面的制绒方法，包括对硅晶片表面的清洗净化，其特征是将清洗净化后的硅晶片两两叠合置于气相沉积反应炉中，当气相沉积反应炉的温度控制在１０５０℃至１２００℃，真空度控制在１ｘ１０↑［－２］Ｐａ至１ｘ１０↑［－４］Ｐａ的条件下，将三氯氢硅和氢气按化学反应式满足反应所需的摩尔比的量混合，通入气相沉积反应炉中，使晶体硅沉积在两两叠合后的硅晶片外露表面，并形成硅晶粒绒面，其化学反应式为：ＳｉＨＣｌ↓［３］＋Ｈ↓［２］＝Ｓｉ＋３ＨＣｌ；所形成的硅晶粒绒面的厚度由气相沉积反应炉内空间气相反应物的摩尔浓度和沉积时间来控制，沉积完成后，通入氮气，使气相沉积反应炉内降温升压致常温常压，取出沉积有硅晶粒绒面...

【技术特征摘要】
1.一种硅晶片表面的制绒方法，包括对硅晶片表面的清洗净化，其特征是将清洗净化后的硅晶片两两叠合置于气相沉积反应炉中，当气相沉积反应炉的温度控制在1050℃至1200℃，真空度控制在1x10-2Pa至1x10-4Pa的条件下，将三氯氢硅和氢气按化学反应式满足反应所需的摩尔比的量混合，通入气相沉积反应炉中，使晶体硅沉积在两两叠合后的硅晶片外露表面，并形成硅晶粒绒面，其化学反应式为：SiHCl3+H2＝Si+3HCl；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈汉明，
申请(专利权)人：浙江百力达太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：33[中国|浙江]