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本发明公开了一种硅晶片表面的制绒方法，包括对硅晶片表面的清洗净化，将清洗净化后的硅晶片两两叠合置于气相沉积反应炉中，当气相沉积反应炉的温度控制在１０５０℃至１２００℃，真空度控制在１ｘ１０－２Ｐａ至１ｘ１０－４Ｐａ的条件下，将三氯氢硅和氢气...
该专利属于浙江百力达太阳能有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江百力达太阳能有限公司授权不得商用。

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