发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统技术方案

本发明专利技术公开了发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统。发光器件包括：透射衬底；在透射衬底上的欧姆层；在欧姆层上的发光结构，其包括第一和第二导电半导体层以及在第一和第二导电半导体层之间的有源层；在透射衬底的底表面上的电极层；以及导电通孔，该导电通孔通过透射衬底电气地连接发光结构和电极层，其中透射衬底的面积从下部朝着其上部增加。

Light emitting device, manufacturing method thereof, light-emitting device package, and illumination system

A light emitting device, a method of manufacturing the same, a light emitting device package, and an illumination system are disclosed. Light emitting device includes a transmissive substrate; an ohmic layer on a transmissive substrate; the light emitting structure ohmic layer, which includes first and second conductive semiconductor layer and the active layer between the first and second conductive semiconductor layer; on the transmissive substrate on the bottom surface of the electrode layer; and the conductive vias, the conductive the electrical connection holes through the transmissive substrate light emitting structure and the electrode layer, wherein the transmission area of the substrate from the bottom toward the upper part of the increase.

【技术实现步骤摘要】
发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统
技术介绍
发光二极管(LED)是一种将电能转换为光的半导体器件。与诸如荧光灯或者辉光灯的传统的光源相比较，LED在功率消耗、寿命、响应速度、安全、以及环保要求方面是有利的。考虑此，已经进行了各种研究以将传统的光源替换为LED。LED越来越多地被用作用于诸如各种灯、液晶显示器、电子标识牌、以及街灯的照明装置的光源。
技术实现思路
实施例提供具有新颖结构的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。实施例提供表现改进的光提取效率的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。根据实施例，发光器件包括透射衬底；在透射衬底上的欧姆层；在欧姆层上的发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在第一和第二半导体层之间的有源层；在透射衬底的底表面上的电极层；以及导电通孔，该导电通孔通过透射衬底电气地连接发光结构和电极层，其中透射衬底的面积从下部朝着其上部增加。根据实施例，发光器件封装包括封装主体；第一和第二电极，该第一和第二电极被安装在封装主体中；以及发光器件，该发光器件被设置在封装主体上并且电气地连接第一和第二电极。发光器件包括透射衬底；在透射衬底上的欧姆层；在欧姆层上的发光结构，该发光结构包括第一和第二导电半导体层以及在第一和第二导电半导体层之间的有源层以产生光；在透射衬底的底表面上的电极层；以及导电通孔，该导电通孔通过透射衬底电气地连接发光结构和电极层，其中透射衬底的面积从下部朝着其上部增加。根据实施例，照明系统包括发光模块，该发光模块包括基板和被安装在基板上的发光器件。发光器件包括透射衬底；在透射衬底上的欧姆层；在欧姆层上的发光结构，该发光结构包括第一和第二导电半导体层以及在第一和第二导电半导体层之间的有源层以产生光；在透射衬底的底表面上的电极层；以及导电通孔，该导电通孔通过透射衬底电气地连接发光结构和电极层，其中透射衬底的面积从下部朝着其上部增加。根据实施例，一种制造发光器件的方法，包括通过在生长衬底上顺序地形成发光结构、欧姆层、以及第一附着层来形成第一主体；通过在透射衬底上形成接触第一附着层的第二附着层来形成第二主体，并且形成通过透射衬底的孔；通过将彼此相对地将第一附着层和第二附着层结合来结合第一主体和第二主体，去除生长衬底，并且通过使用导电材料填充孔形成导电通孔；以及在透射衬底的底表面上形成电极层，其中透射衬底的面积从下部朝着其上部增加。附图说明图1是示出根据第一实施例的发光器件的截面图；图2至图8是示出根据第一实施例的制造发光器件的方法的截面图9是示出根据第二实施例的发光器件的截面图；图10是示出根据第三实施例的发光器件的截面图；图11是示出根据第四实施例的发光器件的截面图；图12是示出根据第五实施例的发光器件的截面图；图13是示出根据第六实施例的发光器件的截面图；图14是示出根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图；图15是示出根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的背光单元的视图； 以及图16是示出根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的照明单元的视图。 具体实施例方式在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一焊盘、或者另一图案“上”或“下”时，它能够“直接”或 “间接”在另一衬底、层(或膜)、区域、焊盘或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。 已经参考附图描述了层的这样的位置。为了方便或清楚起见，附图中所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。图1是示出根据第一实施例的发光器件100的截面图。参考图1，发光器件100包括透射衬底110 ；在透射衬底110上的欧姆层157 ；发光结构145，该发光结构145形成在欧姆层157上以产生光；电极层132，该电极层132形成在透射衬底110的底表面上；以及导电通孔131，该导电通孔131通过透射衬底100电气地连接发光结构145和电极层132。发光结构145可以包括多个化合物半导体层。例如，发光结构145可以包括第一导电半导体层130、在第一导电半导体层130下面的有源层140、以及在有源层140下面的第二导电半导体层150。可以从发光结构145直接地发射，或者通过经过透射衬底110发射从发光结构145 产生的光。特别地，透射衬底110的厚度比发光结构145的厚度厚，使得通过透射衬底110 的侧表面能够有效地发射光。因此，能够提高发光器件100的光发射效率。另外，欧姆层157被插入在发光结构145和透射衬底110之间，使得来自于电极层 132的电力能够扩展到整个发光结构145。透射衬底110被设置为在其上具有缓冲层(未示出)和/或未掺杂的氮化物层 (未示出)以减少晶格常数差。在下文中，将会针对每个组件详细地描述根据第一实施例的发光器件100。透射衬底110可以包括诸如Al2O3、玻璃材料、GaN, ZnO或者AlN的透光材料。在这样的情况下，透射衬底110优选地包括具有小于发光结构145的折射率的折射率的材料。在这样的情况下，由于折射率差能够更加有效地发射从发光结构145产生的光。例如，透射衬底110可以具有大约IOOym至大约IOOOym的厚度。因为厚度比发光结构145的厚度厚，所以通过发光器件100的侧表面能够有效地发射光。同时，透射衬底110形成为在其侧表面处具有粗糙部，使得能够最大化通过发光器件100的侧表面的光发射效率。欧姆层157可以形成在透射衬底110上。欧姆层157与发光结构145进行欧姆接触，使得从电极层132传送的电力能够扩展到整个发光结构145。欧姆层157可以包括透明材料使得从发光结构145产生的光通过欧姆层157平滑地入射到透射衬底110。详细地，欧姆层157可以包括透明的金属氧化物或者透明的金属氮化物。例如， 欧姆层 157 可以包括 ITO、IZO(In-ZnO)、GZO (Ga-ZnO)、AZO (Al-ZnO)、AGZO (Al-Ga ZnO)、 IGZ0(In-Ga SiO)、Ir0x、Ru0x、Ru0x/IT0、Ni/Ir0x/Au、以及Ni/Ir0x/Au/IT0 中的至少一个。欧姆层157可以包括数纳米(nm)至数十纳米(nm)的金属薄膜以透射光。在这样的情况下，欧姆层157可以包括Ni、Pt、Ir、Rh,以及Ag中的至少一个。同时，欧姆层157可以具有取决于发光器件100的设计的各种形状，但是实施例不限于此。稍后将会描述其详情。附着层120可以被插入在欧姆层157和透射衬底110之间以使欧姆层157和透射衬底110牢固地结合。附着层120可以包括具有结合强度的透明材料。例如，附着层120可以包括旋涂玻璃(SOG)、Sol-Gel、ITO、ZnO或者SiOx中的至少一个。发光结构145可以形成在欧姆层157上。发光结构145具有产生光的结构。例如， 发光结构145可以具有其中第二导电半导体层150、有源层140、以及第一导电半导体层130 相互顺序地堆叠的堆叠结构。例如，第二导电半导体层150可以包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件，包括：透射衬底；在所述透射衬底上的欧姆层；在所述欧姆层上的发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层；在所述透射衬底的底表面上的电极层；以及导电通孔，所述导电通孔通过所述透射衬底电气地连接所述发光结构和所述电极层，其中所述透射衬底的面积从下部朝着其上部增加。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：丁焕熙，李尚烈，宋俊午，崔光基，文智炯，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR