发光器件，发光器件封装以及照明系统技术方案

本发明专利技术公开发光器件、发光器件封装以及照明系统。实施例的发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及第一和第二导电半导体层之间的有源层；第二导电半导体层下面的第二电极；第一导电半导体层的第一区域上方的第一纹理结构；第一导电半导体层的第一区域上方的Ａ电极；以及第一导电半导体层的第二区域上方的Ｂ电极，其中Ｂ电极包括被连接至电线的焊盘电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光器件、发光器件封装、以及照明系统。
技术介绍
发光器件(LED)包括具有将电能转换为光能的特性的p-n结。通过组合周期表的 III-V族元素能够形成p-n结二极管。通过调节化合物半导体的组成比率，LED能够展示各 种颜色。当将正向电压施加给LED时，η层的电子与ρ层的空穴结合，使得可以产生与导带 和价带之间的能隙相对应的能量。此能量被实现为热或者光，并且LED以光的形式发射能量。氮化物半导体表现出优秀的热稳定性和宽的带隙能量使得氮化物半导体已经在 光学器件和高功率电子器件的领域受到高度关注。特别地，已经开发并且广泛地使用采用 氮化物半导体的蓝色、绿色、以及UV光发射器件。根据现有技术，从有源层产生的光的一部分由电极吸收或者反射，从而引起发光 器件中的损耗。因此，发光效率降低。另外，根据现有技术，在发光器件中可能出现电流密集(currentcrowding)现象， 使得发光器件的寿命缩短并且发光器件的可靠性降低。
技术实现思路
实施例提供能够提高光提取效率和电流扩展效应的发光器件，和制造发光器件的 方法。根据实施例的发光器件可以包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、 第二导电半导体层以及第一和第二导电半导体层之间的有源层；第二导电半导体层下面的 第二电极；第一导电半导体层的第一区域上方的第一纹理结构(texture)；第一导电半导 体层的第一区域上方的A电极；以及第一导电半导体层的第二区域上方的B电极，其中B电 极包括被连接至电线的焊盘电极。根据实施例的发光器件封装可以包括封装主体；封装主体上方的第三和第四电 极层；以及被电气地连接到第三和第四电极的发光器件。根据实施例的照明系统可以包括基板；和发光模块，该发光模块包括基板上方 的发光器件封装，其中发光器件封装可以包括封装主体；封装主体上方的第三和第四电极 层；以及被电气地连接到第三和第四电极的发光器件。附图说明图1是示出根据实施例的发光器件的截面图；图2是示出根据实施例的发光器件的平面图；图3是示出根据实施例的发光器件的光提取效率的图4是示出根据实施例的发光器件的电阻的图；图5至图9是示出根据实施例的用于制造发光器件的方法的截面图；图10是示出根据实施例的发光器件封装的截面图；图11是示出根据实施例的照明单元的透视图；以及图12是示出根据实施例的背光单元的分解透视图。具体实施例方式在下文中，将会参考附图详细地描述根据实施例的发光器件、发光器件封装、以 及照明系统。在下面的描述中，将会理解的是，当层(或膜)被称为在另一层或基板“上”时，它 能够直接地在另一层或者基板上，或者也可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称 为在另一层“下”时，它能够直接地在另一层下，并且也可以存在一个或者多个中间层。另 外，还将会理解的是，当层被称为两个层“之间”时，它能够是两个层之间的唯一层，或者也 可以存在一个或者多个中间层。(实施例)图1是沿着图2的线1-1’截取的根据实施例的发光器件的截面图，并且图2是示 出根据实施例的发光器件的平面图。根据实施例的发光器件100包括发光器件结构110，该发光器件结构110包括第一 导电半导体层112、有源层114、以及第二导电半导体层116 ；第二导电半导体层116下面的 第二电极120 ；第一导电半导体层112的第一区域上方的第一纹理结构T ；第一导电半导体 层112的第一区域上方的A电极150a ；以及第一导电半导体层112的第二区域上方的B电 极150b。A电极150a和B电极250可以组成第一电极150。根据实施例的发光器件能够通过调节基于发光器件的第一导电半导体层和第一 电极之间的接触区域处的纹理结构的存在的接触电阻来提高电流扩展效应，并且能够通过 最小化焊盘电极中的光吸收来增强光提取效率。图3是示出根据实施例的发光器件的光提取效率的图，并且图4是示出根据实施 例的发光器件的电阻的图。图3示出根据在用作图1中所示的第一导电半导体层112的焊盘电极的B电极 150b下面不具有纹理结构的区域的宽度D的光提取效率。根据现有技术，由于通过形成在第一电极下面的纹理结构引起的光散射使得增加 在第一电极中吸收的光的量，从而光提取效率降低。另外，由于形成在第一电极下面的纹理 结构使得表面面积扩大，所以在第一电极中吸收的光的量增加，从而光提取效率降低。根据实施例，用作焊盘电极并且具有预定的长度的B电极150b形成在没有形成纹 理结构T的第一导电半导体层112的预定区域上，使得焊盘电极中吸收的光的量减少，从而 提高光提取效率。例如，根据实施例，纹理结构T没有形成在第一导电半导体层112的预定 的区域上，其中预定的区域具有与用作被连接至电线的焊盘电极的B电极150b的面积相对 应的面积，使得能够提高光提取效率，但是实施例不限于此。例如，不具有纹理结构T的第 二区域的宽度D被设置为与用作焊盘电极的B电极150b的宽度W相对应的300 μ m，使得能 够显著地提高光提取效率，但是实施例不限于此。另外，不具有纹理结构T的第二区域的宽度D处于基于用作第一导电半导体层112 的焊盘电极的B电极150b的宽度的士5%的范围内。图4示出根据第一导电半导体层112中的当在(由P表示的)电极下面形成纹理 结构时和当在(由Q表示的)电极下面没有形成纹理结构时的电极之间的距离的电阻。在 图4中，X轴表示第一电极150之间的距离χ。根据实施例，由于在用作焊盘电极的B电极150下面没有形成纹理结构，所以发光 结构和用作焊盘电极的B电极150b之间的接触电阻变高，使得能够防止在焊盘电极下面出 现电流密集。另外，由于纹理结构形成在发光结构的剩余区域上，所以发光结构和A电极 150a之间的接触电阻变低，使得能够改进电流扩展效应。根据实施例的发光器件和制造发光器件的方法，通过调节基于在发光器件的第一 导电半导体层和第一电极之间的接触区域处的纹理结构的存在的接触电阻能够改进电流 扩展效应，并且通过最小化焊盘电极中的光吸收能够增强光提取效率。例如，根据实施例，由于纹理结构没有形成在发光器件的第一导电半导体层和焊 盘电极之间的接触区域处，所以能够减少由纹理结构引起的光散射，使得能够减少第一电 极中的光吸收。另外，由于接触区域的接触电阻高于其它区域，所以能够防止在焊盘电极下 面出现电流密集。另外，根据实施例的发光器件，纹理结构形成在第一导电半导体层和A电极而不 是用作焊盘电极的B电极之间的接触区域处，使得接触电阻减少，从而提高电流扩展效应。尽管实施例公开了形成在A电极150a下面的第一纹理结构T，但是实施例不限于 此。即，根据实施例，纹理结构T能够部分地形成在B电极150b下面以及在A电极150a下 面。例如，如果B电极150b下面的第二纹理结构的密度(concentration)低于A电极150a 下面的第一纹理结构的密度，那么能够获得类似的效果。在下文中，将会参考图5至图9描述制造根据实施例的发光器件的方法。首先，制备第一基板105，如图5中所示。第一基板105包括导电基板或者绝缘基 板。例如，第一基板 105 可以包括 Al203、SiC、Si、GaAs、(iaN、ai0、Si、GaP、InP、Ge、以及 Gei2O3 中的至少一个。凹凸结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层；所述第二导电半导体层下面的第二电极；所述第一导电半导体层的第一区域上方的第一纹理结构；所述第一导电半导体层的第一区域上方的Ａ电极；以及所述第一导电半导体层的第二区域上方的Ｂ电极，其中所述Ｂ电极包括被连接至电线的焊盘电极。

【技术特征摘要】
KR 2009-10-22 10-2009-01008121. 一种发光器件，包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及在所述第一 和第二导电半导体层之间的有源层；所述第二导电半导体层下面的第二电极；所述第一导电半导体层的第一区域上方的第一纹理结构；所述第一导电半导体层的第一区域上方的A电极；以及所述第一导电半导体层的第二区域上方的B电极，其中所述B电极包括被连接至电线 的焊盘电极。2.如权利要求1中所述的发光器件，其中所述A电极形成在所述第一纹理结构上。3.如权利要求1所述的发光器件，其中所述B电极形成在没有形成所述第一纹理结构 的所述第一导电半导体层的预定区域上。4.如权利要求1中所述的发光器件，进一步包括所述B电极下面的第二纹理结构。5.如权利要求4中所述的发光器件，其中所述B电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄盛珉，宋炫暾，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR