发光器件，发光器件封装以及照明系统技术方案

本发明专利技术公开发光器件、发光器件封装以及照明系统。实施例的发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及第一和第二导电半导体层之间的有源层；第二导电半导体层下面的第二电极；第一导电半导体层的第一区域上方的第一纹理结构；第一导电半导体层的第一区域上方的Ａ电极；以及第一导电半导体层的第二区域上方的Ｂ电极，其中Ｂ电极包括被连接至电线的焊盘电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光器件、发光器件封装、以及照明系统。
技术介绍
发光器件(LED)包括具有将电能转换为光能的特性的p-n结。通过组合周期表的 III-V族元素能够形成p-n结二极管。通过调节化合物半导体的组成比率，LED能够展示各 种颜色。当将正向电压施加给LED时，η层的电子与ρ层的空穴结合，使得可以产生与导带 和价带之间的能隙相对应的能量。此能量被实现为热或者光，并且LED以光的形式发射能量。氮化物半导体表现出优秀的热稳定性和宽的带隙能量使得氮化物半导体已经在 光学器件和高功率电子器件的领域受到高度关注。特别地，已经开发并且广泛地使用采用 氮化物半导体的蓝色、绿色、以及UV光发射器件。根据现有技术，从有源层产生的光的一部分由电极吸收或者反射，从而引起发光 器件中的损耗。因此，发光效率降低。另外，根据现有技术，在发光器件中可能出现电流密集(currentcrowding)现象， 使得发光器件的寿命缩短并且发光器件的可靠性降低。
技术实现思路
实施例提供能够提高光提取效率和电流扩展效应的发光器件，和制造发光器件的 方法。根据实施例的发光器件可以包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层；所述第二导电半导体层下面的第二电极；所述第一导电半导体层的第一区域上方的第一纹理结构；所述第一导电半导体层的第一区域上方的Ａ电极；以及所述第一导电半导体层的第二区域上方的Ｂ电极，其中所述Ｂ电极包括被连接至电线的焊盘电极。

【技术特征摘要】
KR 2009-10-22 10-2009-01008121. 一种发光器件，包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及在所述第一 和第二导电半导体层之间的有源层；所述第二导电半导体层下面的第二电极；所述第一导电半导体层的第一区域上方的第一纹理结构；所述第一导电半导体层的第一区域上方的A电极；以及所述第一导电半导体层的第二区域上方的B电极，其中所述B电极包括被连接至电线 的焊盘电极。2.如权利要求1中所述的发光器件，其中所述A电极形成在所述第一纹理结构上。3.如权利要求1所述的发光器件，其中所述B电极形成在没有形成所述第一纹理结构 的所述第一导电半导体层的预定区域上。4.如权利要求1中所述的发光器件，进一步包括所述B电极下面的第二纹理结构。5.如权利要求4中所述的发光器件，其中所述B电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄盛珉，宋炫暾，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR