【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及氮化物半导体发光元件，更具体地，本专利技术涉及发光衬底具有设置有凹部和凸部的上表面的氮化物半导体发光元件。
技术介绍
通常，对于氮化物半导体发光元件，已经采用蓝宝石(A1203)衬底、SiC衬底、GaN衬 底、尖晶石(MgAl204)衬底等。这种氮化物半导体发光元件与其它化合物半导体发光元件的 不同在于它们采用上述衬底，这些衬底对于发射光的波长具有透光性质。由于每个衬底允 许发出的光从其如此传输经过，光不仅可以从半导体层的表面提取还可以从衬底的侧表面 提取。 在普通的半导体发光元件中，半导体层形成为具有约几ym的厚度，衬底具有约 100iim的厚度。因此，如果光能够从衬底的侧表面有效地提取，可以显著地改善半导体发光 元件中的光提取效率。 氮化物半导体层具有约2. 4的折射率，而例如蓝宝石衬底具有约1. 7的折射率。 因此，当氮化物半导体层与蓝宝石衬底之间的界面用以大于临界角的入射角进入的光照射 时，光被全反射。由此反射的光在氮化物半导体层中被反复地反射，也就是导致多次反射。 在多次反射期间，光被形成在半导体发光元件的表面上的电极或有源层吸收并减弱...
【技术保护点】
一种氮化物半导体发光元件，其中至少包括发光层的氮化物半导体层形成在透光衬底上，所述透光衬底具有上表面，在该上表面上形成有多个凹部区域和凸部区域，其中：在平面图看时，各所述凹部区域和各所述凸部区域中的一方通过具有至少一个顶点的多边形形成，该至少一个顶点具有１８０°或更大的内角，以及在从平面图看时，各所述凹部区域和各所述凸部区域中的另一方形成为彼此不连成直线。
【技术特征摘要】
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