【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，特别是一种微型发光二极管。
技术介绍
近年来，提出了尺寸为数十微米的微型发光二极管(参见例如国际公开WO 02/07231和JP-A-2005-150673 (专利文献1和2))。图14为这样的发光二极管的一个实 例，为AlGaInP基发光二极管。如图14所示，为了制造AlGaInP基发光二极管，在未示出的 η型GaAs基板上生长蚀刻终止层，且η型AlInP覆盖层101、有源层(active layer，活性 层)102以及ρ型AlInP覆盖层103顺次生长于其上。接着，使用具有特定的平面形状的掩 模对η型AlInP覆盖层101、有源层102以及ρ型AlInP覆盖层103进行干蚀刻并且图案 化，以形成具有相对于这些层的表面相倾斜的倾斜表面的端面104。其后，尽管未示出，在ρ 型AlInP覆盖层103的上表面上形成ρ侧电极，在η型AlInP覆盖层101的下表面上形成 η侧电极。在AlGaInP基发光二极管中，有源层102中产生的光经由端面104反射，射向η 型AlInP覆盖层101的下表面，即出射表面，从而提高了光出射效率。另外，提出了一种发...
【技术保护点】
一种发光二极管的制造方法，包括以下步骤：在基板上依次生长第一覆盖层、有源层以及第二覆盖层；以及将所述第一覆盖层、所述有源层以及所述第二覆盖层图案化为特定的平面形状，并且使得所述有源层的外围部分的至少一部分突出至所述第一覆盖层和所述第二覆盖层中的至少一个的外部。
【技术特征摘要】
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