【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光二极管芯片的制造方法，尤其是指一种可提高芯片亮度的发光二极管芯片制造方法。
技术介绍
随着半导体照明的不断深入发展，发光二极管(LED)以其高电光转换效率和绿色 环保的优势受到越来越广泛的关注。半导体照明产品中的核心组成部分是LED芯片，其研 究与生产技术有了飞速的发展，芯片亮度和可靠性不断提高。在LED芯片的研发和生产过 程中，器件外量子效率的提高一直是核心内容，因此，光提取效率的提高显得至关重要。LED的光提取效率是指出射到器件外可供利用的光子与外延片的有源区由电子空 穴复合所产生的光子的比例。在传统LED器件中，由于衬底吸收、电极阻挡、出光面的全反 射等因素的存在，光提取效率通常不到10%，绝大部分光子被限制在器件内部无法出射而 转变成热，成为影响器件可靠性的不良因素。为提高光提取效率，使得器件体内产生的光子更多地发射到体外，并改善器件内 部热特性，经过多年的研究和实践，人们已经提出了多种光提取效率提高的方法，比如倒装 结构、电流分布与电流扩展结构、芯片形状几何化结构、表面微结构等。然而，如何突破现有技术进一步提高出光效率仍然是本领域技术...
【技术保护点】
一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、在蓝宝石衬底上生长半导体外延层，该层至少包括Ｎ型ＧａＮ层、位于所述Ｎ型ＧａＮ层之上的有源层，以及位于所述有源层之上的Ｐ型ＧａＮ层；步骤二、利用刻蚀技术对步骤一所得结构进行刻蚀，使部分所述Ｎ型ＧａＮ层露出，形成凹台；步骤三、在步骤二所得结构上依次制作抗酸层和抗激光层；步骤四、对步骤三所得结构进行激光划片，划至所述蓝宝石衬底，在所述凹台处形成划道；步骤五、去除所述抗激光层；步骤六、利用磷酸和硫酸的混合液对所述划道进行腐蚀，清除划片生成物，使所述划道两侧的Ｎ型ＧａＮ层腐蚀形成侧壁，所述侧壁与所述蓝宝石衬底之间形...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李士涛，郝茂盛，陈诚，张楠，袁根如，朱广敏，刘亚柱，
申请(专利权)人：上海蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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