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本发明公开了一种发光二极管芯片的制造方法，通过对ＧａＮ半导体外延层进行激光划片形成划道，并利用磷酸和硫酸的混合液对所述划道进行腐蚀，清除划片生成物，使划道两侧的Ｎ型ＧａＮ层腐蚀形成侧壁，且侧壁与蓝宝石衬底之间形成了大于０°小于９０°的倾角，...
该专利属于上海蓝光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海蓝光科技有限公司授权不得商用。

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