自对准工艺制作凸形图形衬底的方法技术

本发明专利技术公开了一种用于氮化物外延生长的凸形图形衬底的制作方法——自对准工艺制作凸形图形衬底的方法。该方法通过高温处理将蓝宝石衬底上用薄光刻胶制作的多个凸形图形微结构碳化；再在其上涂覆一层厚光刻胶层，以碳化的凸形图形微结构作为掩膜对厚光刻胶层进行自对准曝光；然后采用高温坚膜，将碳化的凸形图形微结构和显影后的光刻胶图形熔合成凸形圆包，最后利用干法刻蚀技术将其图形结构转移到衬底上，得到凸形图形衬底。采用本发明专利技术的自对准工艺可以解决厚胶制作凸形图形脱落的问题，可以采用一般的曝光机实现高精度的曝光需求，可以大大提高图形的均匀性，从而使得制作凸形图形衬底的工艺能够产业化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种用于氮化物外延生长的凸形图形衬底 的制作方法。
技术介绍
发光二极管具有体积小、效率高和寿命长等优点，在交通指示、户外全色显示等领 域有着广泛的应用。尤其是利用大功率发光二极管可能实现半导体固态照明，引起人类照 明史的革命，从而逐渐成为目前电子学领域的研究热点。为了获得高亮度的LED，关键要提 高器件的内量子效率和外量子效率。目前，芯片光提取效率是限制器件外量子效率的主要 因素，其主要原因是外延材料、衬底材料以及空气之间的折射率差别较大，导致有源区产生 的光在不同折射率材料界面发生全反射而不能导出芯片。目前主流的技术路线就是用凸形图形衬底来生长外延，此种技术可以缓解衬底和 氮化物外延层异质外延生长中由于晶格失配引起的应力，减小GaN基外延层穿透位错的密 度，提高外延层晶体质量；减少发光二极管芯片的界面反射及内部吸收，提高芯片发光效 率。但是，现在制作凸形图形衬底有很大的难度，因其显影后是孤立的小圆柱图形微结构， 在图形高度较高时，显影时很难将图形完整的保留下来，大部分图形在显影时就脱离掉了， 对于这种情况，有的使用在衬底上表面蒸镀一层很薄的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自对准工艺制作凸形图形衬底的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、在透明衬底上用光刻胶制作多个凸形图形微结构；步骤二、将附有所述凸形图形微结构的透明衬底进行高温处理，使所述凸形图形微结构碳化成不透光的凸形图形微结构掩膜；步骤三、在附有所述凸形图形微结构掩膜的透明衬底上涂覆一层光刻胶层，并进行软烘；步骤四、将透明衬底涂覆有所述光刻胶层的表面朝下，使光线透过透明衬底，利用所述凸形图形微结构掩膜对所述光刻胶层进行曝光；步骤五、对曝光后的光刻胶层显影，得到光刻胶图形；步骤六、采用高温坚膜，将凸形图形微结构掩膜和显影后的光刻胶图形熔合成凸形圆包；步骤七、利用所述凸形圆包作为掩膜，用干法刻蚀技...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁根如，郝茂盛，陈诚，
申请(专利权)人：上海蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]