【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。本专利技术特别适用于显微发光二极管中的应用。
技术介绍
近来已经提出了约几十个微米大小的显微发光二极管(例如，参见WO 2002/07231和JP-A-2005-150673)。这种发光二极管的实例为使用具有闪锌矿晶体结构的 化合物半导体(诸如AlGaInP半导体)的发光二极管。下面，将参照图14A 图14C来描述这种发光二极管的制造方法的实例。根据这种 制造方法，如图14A所示，首先在主表面位于(001)面的GaAs基板101上生长用于形成发 光二极管结构的半导体层102。半导体层102为具有闪锌矿晶体结构的化合物半导体。半 导体层102包括活性层102a以及诸如η型包覆层和ρ型包覆层的附加层。随后，如图14Β 所示，在半导体层102上形成具有矩形平面形状的抗蚀图案103。图15中示出了抗蚀图案 102的平面形状。如图15所示，抗蚀图案103具有在半导体层102的或方 向上延伸的长边以及在半导体层102的或方向上延伸的短边。随后，使用 抗蚀图案103通过湿蚀刻图案化半导体层102。在具有闪锌矿晶体结构的半导体层102的 湿蚀刻中，因为蚀刻率(速...
【技术保护点】
一种发光二极管的制造方法，该方法包括以下步骤：在第一基板上生长由具有闪锌矿晶体结构的化合物半导体构成的、形成发光二极管结构的半导体层，所述第一基板由具有闪锌矿晶体结构的化合物半导体构成，并且具有相对于（００１）面在［１１０］方向上倾斜的主表面；将所述第一基板在所述半导体层侧上结合第二基板；去除所述第一基板，从而暴露出所述半导体层；在所述半导体层的暴露面上以矩形平面形状形成蚀刻掩模，使得长边在［１１０］或［－１－１０］方向上延伸，而短边在［－１１０］或［１－１０］方向上延伸；以及使用所述蚀刻掩模通过湿蚀刻来图案化所述半导体层。
【技术特征摘要】
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