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本发明提供了发光二极管及其制造方法，该制造方法包括以下步骤：在第一基板上生长由具有闪锌矿晶体结构的化合物半导体构成的、形成发光二极管结构的半导体层，该第一基板由具有闪锌矿晶体结构的化合物半导体构成，并且具有相对于（００１）面在［１１０］方向...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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