发光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术揭露一种制造发光二极管的方法，此方法包括以下步骤。提供一基材；形成一光学层于此基材上；施加约１０００℃至约１５００℃的热处理，使光学层的一表面产生多数不规则孔洞；形成一第一半导体层于光学层上，其中第一半导体层材料的折射率大于光学层材料的折射率；形成一活性层于第一半导体层上；以及形成一第二半导体层于活性层上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种发光装置及其制造方法，且特别是有关于一种发光二极管芯片及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(LED)可广泛地应用于不同的产品中，例如可应用于平面显示装置、 交通号志、照明设备等等。发光二极管芯片中活性层所发出的光线，可能因为发光二极管芯 片中的光学路径不佳，导致所产生的光线无法有效地传递至外界，因此而降低光的取出率 及发光效率。所以，如何提高发光二极管芯片中光线的取出率或发光效率，一直是发光二极 管领域的重要技术议题。M. Hao等人曾揭露一种利用高温蚀刻氮化镓(GaN)及蓝宝石基材(phys. stat. sol. (c) 1，No. 10，pp. 2397 2400(2004))，以形成一粗糙面的技术。其中使用的技术是先 形成一氮化镓(GaN)层于蓝宝石基材上，然后在高温(1180°C )下导入氢气使GaN受热分 解，并同时诱发GaN蚀刻蓝宝石基材，而在蓝宝石基材表面上形成高密度的纳米等级的陨 石坑(nano-craters)。但上述方法必需额外成长一 GaN层，且进行蚀刻蓝宝石基材所需的 时间较长，并不经济。Ru-Chin Tu等人曾揭露使用一层薄的Si本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括：提供一基材；形成一光学层于该基材上；施加热处理，使该光学层的一表面产生多数不规则孔洞；形成一第一半导体层于该光学层上，其中该第一半导体层材料的折射率大于该光学层材料的折射率；形成一活性层于该第一半导体层上；以及形成一第二半导体层于该活性层上。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括 提供一基材；形成一光学层于该基材上；施加热处理，使该光学层的一表面产生多数不规则孔洞；形成一第一半导体层于该光学层上，其中该第一半导体层材料的折射率大于该光学层 材料的折射率；形成一活性层于该第一半导体层上；以及 形成一第二半导体层于该活性层上。2.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，形成该光学层以及该 热处理步骤是在同一腔室中进行。3.根据权利要求2所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，该光学层由氮化铝所 制成。4.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，该热处理步骤还包括 将具有该光学层的基材置入约1000°C至约1500°C的腔室中，且该基材停留在该腔室的时间少于10分钟。5.根据权利要求4所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，将具有该光学层的基 材置入约1...

【专利技术属性】
技术研发人员：林文禹，黄世晟，凃博闵，吴芃逸，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94