A light emitting device and a light emitting device package having a light emitting device are disclosed. Light emitting device includes a light emitting structure, the light emitting structure includes a first conductive type semiconductor layer, a second conductive type semiconductor layer, and an active layer between the first conductive type semiconductor layer and a second conductive type semiconductor layer, wherein the first conductivity type semiconductor layer includes a first lower than the top surface of the top surface of the second step structure; insulating layer. The insulation layer is arranged on the side surface of the light emitting structure and a first conductive type semiconductor layer second on the top surface of the electrode and the electrode; a first conductive type semiconductor layer is electrically connected to the electrode layer; the second conductive type semiconductor layer; and a protective layer, the protective layer is disposed on the second conductive type semiconductor layer. The surface of the peripheral part.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光器件和具有发光器件的发光器件封装。
技术介绍
由于其物理和化学特性，III-V族氮化物半导体已经被广泛地用作用于诸如发光二极管(LED)或者激光二极管(LD)的发光器件的主要材料。通常，III-V族氮化物半导体包括具有hxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，以及0彡x+y彡1)的组成式的半导体材料。LED是通过使用化合物半导体的特性将电信号转换为红外线或者光来发送/接收信号的半导体器件。LED还被用作光源。使用氮化物半导体材料的LED或者LD主要用于发光器件以提供光。例如，LED或者LD被用作用于诸如蜂窝电话的键区发光部分、电子标识牌、以及发光装置的各种产品的光源。
技术实现思路
实施例提供发光器件和发光器件封装，其能够防止化合物半导体层由于基板分离工艺导致的损坏。实施例提供发光器件和具有发光器件的发光器件封装，其中第一导电类型半导体层具有台阶结构。根据实施例，发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、 第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层，其中该第一导电类型半导体层包括具...
【技术保护点】
１．一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层，其中所述第一导电类型半导体层包括具有低于其第一顶表面的第二顶表面的台阶结构；绝缘层，所述绝缘层被布置在所述发光结构的侧表面和所述第一导电类型半导体层的第二顶表面上；电极，所述电极与所述第一导电类型半导体层电气地连接；电极层，其在所述第二导电类型半导体层下面；以及保护层，所述保护层被布置在所述第二导电类型半导体层的下表面的外围部分上。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宋俊午，文智炯，李尚烈，丁焕熙，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR
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