提高发光二极管发光效率的方法及其外延结构技术

提高发光二极管发光效率的方法及其外延结构，其特征在于：在发光二极管的外延结构中，将p型氮化镓层镶嵌到第j个量子阱层中，1≤j≤i，其中i为量子阱的数目。发光二极管的外延结构，依次包括衬底、过渡层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层，其特征在于：p型氮化镓层镶嵌到第j个量子阱层中，1≤j≤i，i为量子阱的数目。本专利结构简单、制作方便。相对传统结构，能较大地提高强LED的发光效率与饱和工作电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于发光二极管
，具体涉及一种具有新型外延结构的发光二极管。
技术介绍
自从1993年InGaN/GaN基蓝光LED被制备出来后，GaN基LED的外延材料和器件 制备技术都得到极大地改善，现在LED已开始进入照明应用领域，LED照明相对于传统照 明技术的最大优势是其具有较高的发光效率及较低的输入功率。但是，LED仅是在低工作 电流小具有较高的发光效率，随着工作电流的增大，发光效率会逐渐下降，这就是被称之为 "Droop"效应，“Droop”效应是制约LED照明应用的一大瓶颈。"Droop"效应主要是电子溢流所导致，空穴有效质量较大和掺杂浓度较低而使得 其不能有效注入到量子阱，从而使得大量电子无法在量子阱中与空穴复合发光，传统方法 是通过电子阻挡层(EBL)来减少电子的逃逸，但增加了器件的工作电压，降低了器件的饱和 工作电流，如附图说明图1所示。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题(工作电压高和饱和工作电流低)，本专利技术的目的是提 供一种提高发光二极管发光效率的方法及其外延结构，提高空穴的注入效率和速率及注入 深度，提高器件发光效率与饱和工作电流，降低器件的工作电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．提高发光二极管发光效率的方法，其特征在于：在发光二极管的外延结构中，将ｐ型氮化镓层镶嵌到第ｊ个量子阱层中，１≤ｊ≤ｉ，其中ｉ为量子阱层的数目。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李鸿建，靳彩霞，董志江，
申请(专利权)人：武汉迪源光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：83