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提高发光二极管发光效率的方法及其外延结构，其特征在于：在发光二极管的外延结构中，将p型氮化镓层镶嵌到第j个量子阱层中，1≤j≤i，其中i为量子阱的数目。发光二极管的外延结构，依次包括衬底、过渡层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮...
该专利属于武汉迪源光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉迪源光电科技有限公司授权不得商用。

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