内部负电压生成装置制造方法及图纸

一种内部负电压生成装置，包括：第一内部负电压生成块，其被配置为生成低于接地电压的第一内部负电压；第二内部负电压生成块，其被配置为根据第一内部负电压生成第二内部负电压，第二内部负电压高于第一内部负电压并且低于接地电压；以及初始驱动块，其被配置为在激活操作时间间隔的初始设定时间间隔期间，附加地将第二内部负电压端驱动到第一内部负电压。

Internal negative voltage generating device

A negative voltage generation device includes: a first internal negative voltage generating block, which is configured to generate a negative voltage lower than the first internal grounding voltage; second internal negative voltage generating block, which is configured to generate second internal negative voltage according to the first internal negative voltage, second internal negative voltage higher than the first voltage and the internal negative below the ground voltage; and the initial drive block, which is configured to set the time interval during the operation in the initial activation time interval, the additional second internal negative voltage to the first terminal of the driving internal negative voltage.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体存储装置，并且更具体地，涉及一种半导体存储装置的内 部负电压生成装置。
技术介绍
通常，半导体存储装置包括作为基本单位的大量存储单元，其形成了矩阵形阵列。 作为代表性半导体存储装置的动态随机存取存储器(DRAM)的每个存储单元包括一个NMOS 晶体管和一个电容器。在DRAM的存储单元中，由于各种泄露因素导致出现在存储单元中存 储的数据丢失。泄露因素可以包括甚至在不选择存储单元时也引起数据丢失的关断泄漏。为防止这样的由泄露引起的数据丢失，DRAM以设定的时间间隔实施刷新操作，以 放大并恢复数据。为减少存储单元的关断泄漏，可以增加存储单元晶体管的阈值电压。然而，在该情 况中，在存储单元中存储数据所需的时间周期可能会增加。因此，已经采用了负字线方案，这可以在不增加用于在存储单元中存储数据所需 的时间周期的情况下改进刷新特性。在负字线方案中，向处于未选择字线的预充电状态中的字线供应的电压的电平被 保持在比接地电压VSS的电平低的负电平。因此，可以在不增加存储单元晶体管的阈值电 压的情况下使用栅源电压关系来调节关断泄漏。附图说明图1示出了传统调节器型内部负电压生成装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内部负电压生成装置，其包括：第一内部负电压生成块，其被配置为生成第一内部负电压，所述第一内部负电压低于接地电压；第二内部负电压生成块，其被配置为根据第一内部负电压生成第二内部负电压，所述第二内部负电压高于第一内部负电压且低于所述接地电压；以及初始驱动块，其被配置为在激活操作时间间隔的初始设定时间间隔期间，附加地将第二内部负电压端驱动到第一内部负电压。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：都昌镐，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]