半导体存储装置的温度检测电路制造方法及图纸

半导体存储装置的温度检测电路包括固定周期振荡器、温度可变信号发生单元和计数单元。振荡器被配置成当使能信号被使能时，生成固定周期振荡信号。温度可变信号发生单元被配置成当使能信号被使能时，生成其使能间隔基于温度变化而改变的温度可变信号。计数单元被配置成在温度可变信号的使能间隔期间，对振荡信号计数以生成温度信息信号。

【技术实现步骤摘要】

实施例涉及半导体存储装置，以及更具体地，涉及半导体存储装置的温度检测电路。
技术介绍
通常，半导体存储装置通过在电容器中电气地充入或放出电荷来存储数据。因此， 将半导体存储装置如此设计使得半导体存储装置能执行用于基本上维持电容器的电压电 平的刷新操作。换句话说，半导体存储装置通过周期地和重复地执行刷新操作，可以保持所 存储的数据。随着半导体存储装置近来趋向低功耗，已经提供了降低刷新操作期间所消耗的功 率的各种技术。作为降低刷新操作期间所消耗的功率的技术中的一种，存在这样的技术，其 通过基于温度变化来改变刷新操作的重复周期，执行刷新操作。因此，为了基于温度变化改变刷新操作的重复周期，在半导体存储装置内部需要 温度检测电路。
技术实现思路
本专利技术的实施例包括半导体存储装置的温度检测电路，其能够检测半导体存储装 置内部的温度变化。在本专利技术的一个实施例中，一种半导体存储装置的温度检测电路包括固定周期 振荡器，被配置成当使能信号被使能时，生成振荡信号；温度可变信号发生单元，被配置成 当使能信号被使能时，生成其使能间隔基于温度变化而变化的温度可变信号；以及计数单 元，被配置成在温度可变信号的使能间隔期间，对振荡信号计数，以生成温度信息信号。在本专利技术的另一实施例中，一种半导体存储装置的温度检测电路包括温度可变 信号发生单元，被配置成当使能信号被使能时，使能温度可变信号，并且对电容器充电，以 及当电容器的电压电平升高到高于参考电压电平时，使电容器放电，以及当电容器的电压 电平降低到低于参考电压电平时，禁用温度可变信号；以及计数单元，被配置成在温度可变 信号的使能间隔期间，对振荡信号计数，以生成温度信息信号。附图说明结合附图描述各个特征、方面和实施例，其中图1是示意性地示出根据实施例的半导体存储装置的温度检测电路的结构的方框图；图2是示出图1的固定周期振荡器的实施例的结构的图；以及图3是示出图1的温度可变信号发生单元的实施例的结构的图。具体实施例方式在下文中，将通过优选实施例、参考附图描述根据本专利技术的示例性实施例的半导 体存储装置的温度检测电路。图1是示意性地示出根据实施例的半导体存储装置的温度检测电路的结构的方 框图。如图1所示，根据所公开的实施例的半导体存储装置的温度检测电路包括固定周期 振荡器100，温度可变信号发生单元200和计数单元300。当使能信号‘en’被使能时，固定周期振荡器100生成振荡信号‘osc’。使能信号 ‘en’可以是片内终结(on-die termination)使能信号。通常，将半导体存储装置配置成当 半导体存储装置通过焊点输出数据时，通过将半导体存储装置的外部和内部的阻抗值进行 匹配，可以使输出数据的噪声最小。这样，执行用于匹配半导体存储装置的外部阻抗和内部 阻抗的操作的电路就称为片内终结电路。通过将片内终结使能信号用作实施例的使能信号 ‘en’，该实施例的温度检测电路可以在半导体存储装置执行阻抗匹配操作的期间检测温度 变化。图2是示出图1的固定周期振荡器的示例性实施例的结构的图。如图2所示，固定周期振荡器100包括第一至第六反相器IVl 1至IV16和第一 NAND 门ND11。第一至第六反相器IVll至IV16串联耦合。第一 NAND门NDll接收第六反相器 IV16的输出信号和使能信号‘en’，并将其输出信号输出到第一反相器IV11。参考图1，当使能信号‘en’被使能时，温度可变信号发生单元200生成温度可变信 号‘signaljemp’，该温度可变信号的使能间隔基于温度变化而改变。即，当使能信号‘en’ 被使能时，温度可变信号发生单元200使能该温度可变信号‘signaljemp’，然后基于温度 变化，改变温度可变信号‘signaljemp’的禁用时间。图3是示出图1的温度可变信号发生单元200的示例性实施例的结构的图。参考图3，当使能信号‘en’在逻辑高电平被使能时，温度可变信号发生单元200升 高电压节点‘V_n0de’的电压电平。此后，当电压节点‘V_n0de’的电压电平升高到高于参 考电压(Vref)电平时，温度可变信号发生单元200降低电压节点‘V_node’的电压电平，然 后当电压节点“V_node”的电压电平降低到低于参考电压(Vref)电平时，禁用被使能的温 度可变信号“signaljemp”。此时，当电压节点‘V_node’的电压电平升高到高于参考电压 (Vref)电平，并且随后电压节点‘V_node’的电压电平降低时，温度可变信号发生单元200 随温度升高而增加电压节点‘V_n0de’的压降宽度，以及随温度降低而减小电压节点‘V_ node，的压降宽度。如图3所示，温度可变信号发生单元200包括控制单元210、电压节点电平控制单 元220、比较单元230和频分单元240。响应使能信号‘en’和比较信号‘com’，控制单元210生成控制信号‘ctrl’和反相 的控制信号‘ctrlb’，即控制信号‘ctrl’的反相信号。例如，当使能信号‘en’在逻辑低电平 被禁用时，不论比较信号‘com’如何，控制单元210禁用控制信号‘ctrl’至逻辑高电平。另一方面，当使能信号‘en’在逻辑高电平被使能时，控制单元210响应比较信号‘com’，生成 控制信号‘ctrl’。具体来说，如果使能信号‘en’在逻辑高电平被使能并且比较信号‘com’ 在逻辑高电平被使能，则控制单元210禁用控制信号‘ctrl’至逻辑高电平，并且如果使能 信号‘en’在逻辑高电平被使能并且比较信号‘com’在逻辑低电平被禁用，则使能控制信号 ‘ctrl’至逻辑低电平。控制单元210包括第七至第九反相器IV21至IV23和第二 NAND门ND21。第七反 相器IV21接收比较信号‘com’。第二 NAND门ND21接收使能信号‘en’和第七反相器IV21 的输出信号。第八反相器IV22接收第二 NAND门ND21的输出信号以输出反相的控制信号 ‘ctrlb’。第九反相器IV23接收第八反相器IV22的输出信号以输出控制信号‘ctrl’。当控制信号‘Ctrl’在逻辑低电平被使能时，电压节点电平控制单元220升高电压 节点‘V_node’的电压电平，并且当控制信号‘ctrl’在逻辑高电平被禁用时，降低电压节点 ‘V_node’的电压电平。如图3所示，电压节点电平控制单元220包括充电单元221和放电单元222。当控制信号‘Ctrl’在逻辑低电平被使能时，充电单元221对电容器C21充电以升 高电压节点‘V_n0de’的电压电平。充电单元221包括第一晶体管P21和电容器C21。第一晶体管P21具有配置成接 收控制信号‘ctrl’的栅极和配置成接收外部电压VDD的源极。电容器C21的一端耦合到 第一晶体管P21的漏极，而另一端耦合到接地端VSS。当控制信号‘Ctrl’在逻辑高电平被禁用时，放电单元222使电容器C21放电以降 低电压节点‘V_node’的电压电平。另一方面，当控制信号‘ctrl’在逻辑低电平被使能时， 放电单元222基本上防止电压节点‘V_node’的电压电平降低。放电单元222包括第二至第四晶体管N21、N22和P22。第二晶体管N21具有共同 耦合到电压节点‘V_node’的栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储装置的温度检测电路，包括：固定周期振荡器，被配置成当使能信号被使能时，生成振荡信号；温度可变信号发生单元，被配置成当所述使能信号被使能时，生成其使能间隔基于温度变化而改变的温度可变信号；以及计数单元，被配置成在所述温度可变信号的使能间隔期间，对所述振荡信号计数，以生成温度信息信号。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：金帝润，李锺天，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]