【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种存储器阵列的更新方法与更新电路。
技术介绍
随着制造工艺的演进,在高度整合的系统单芯片中,嵌入式存储器所占的比例越来越高。根据调查,专家学者预测在2010年,嵌入式存储器占 系统单芯片中的比例将高于60%。因此在提高嵌入式存储器密度的同时, 如何提升存储器的效能与节省功率消耗成为现今重要的课题。图1示出了动态随机存取存储器的架构图。请参照图1,动态随机存取 存储器100的基本架构包括阵列形式排列的存储器阵列(Memory Array)l 10、 多任务器(Multiplexer)120、存取列地址译码器(Row Address Decoder)130、 行选择器(Column Selector)140、 二进制计数器(Binary Counter)150、感应放 大器160、以及预充电(Pre-charge)电路170。存储器阵列110中主要是由多 条字符线112与位线114以阵列方式交错排列,而每个交错点则有一存储 单元(MemoryCe11)116,而存储器阵列110则由多个存储单元116所组成, 每一个存储单元116由晶体管及储存电容所 ...
【技术保护点】
一种存储器装置,包括 状态寄存器组,包括多个状态寄存器,其中每个该状态寄存器对应一个或多个的存储器列,用以记录所述存储器列在阵列更新周期的更新与存取状态; 更新定时器,产生阵列更新脉冲及列更新脉冲,使更新装置能初始阵列更新周期及 列更新周期; 待更新列计数器,纪录需要更新的存储器列个数; 剩余更新计数器,在该阵列更新周期中,计算剩余的时间足够更新的存储器列的数量;以及 列选择器,根据所述状态寄存器的内容,找出一可被更新的该存储器列或一群存储单元。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:林建宏,李子芳,王启龙,
申请(专利权)人:财团法人工业技术研究院,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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