【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子电路领域,尤其涉及一种校正电路及装置、温度检测电路及方法、测试方法。
技术介绍
高低温检测电路(temperaturedetector)在各种电路中得到普遍的应用,当环境温度达到某一温度阈值后,电路会输出相应的提示信号。如图1所示,在现有温度检测电路中,基准电压VREF根据待测目标的温度阈值来设定,如电子元件的环境温度的高温阈值。转换电路11输出表征所述待测目标的温度大小的采集电流Isensor。采集电流Isensor通过电阻R11和电阻R12组成的电路转化为采集电压Vsensor。比较器根据采集电压Vsensor和基准电压VREF的大小输出比较结果VO。当待测目标的温度发生变化,如越来越高,则在某一时刻比较结果VO会发生变化,如由“0”变为“1”,这表示待测目标的温度达到温度阈值。所以,根据比较结果VO可以判断出待测目标的温度是否达到温度阈值。图2为采集电压随待测目标的温度变化的趋势图,从图2可以看出,采集电压随待测目标的温度上升而逐渐下降。假设理想情况下采集电压随待测目标的温度变化趋势为直线S0,而工艺变化导致实际情况下采集电压随待测目标的温度变化趋势为直线S1或直线S2。当采集电压穿过基准电压时,比较器输出的比较结果发生变化。从直线S0可以看出,理想情况下,待测目标的温度达到第一温度阈值Td0时比较器输出的比较结果发生跳变。而从直线S1和直线S2可以看出,实际情况下,待测目标的温度需要达到第二温度阈值Td1或第三温度阈值Td2时比较器输出的比较结果才会发生跳变。所以,工艺的变化使采集电压随待测目标的温度变化趋势发生偏差,在实际测量 ...
【技术保护点】
一种校正电路,其特征在于,包括:转换单元、分配单元,校正电阻、比较器和至少两个选择开关;所述转换单元适于输出表征待测目标的温度大小的采集电流;所述分配单元适于根据所述采集电流提供与所述选择开关数量相同的校正电流,并一一输出至所述选择开关的第一端;所述校正电阻的第一端连接全部选择开关的第二端和所述比较器的第一输入端,所述校正电阻的第一端适于提供采集电压至所述比较器的第一输入端;所述比较器的第二输入端适于输入基准电压;所述校正电阻的第二端接地。
【技术特征摘要】
1.一种校正电路,其特征在于,包括:转换单元、分配单元,校正电阻、比较器和至少两个选择开关;所述转换单元适于输出表征待测目标的温度大小的采集电流;所述分配单元适于根据所述采集电流提供与所述选择开关数量相同的校正电流,并一一输出至所述选择开关的第一端;所述校正电阻的第一端连接全部选择开关的第二端和所述比较器的第一输入端,所述校正电阻的第一端适于提供采集电压至所述比较器的第一输入端;所述比较器的第二输入端适于输入基准电压;所述校正电阻的第二端接地。2.如权利要求1所述的校正电路,其特征在于,所述分配单元包括:第一电流镜电路和第二电流镜电路;所述第一电流镜电路包括:第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一NMOS管的漏极连接第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极后适于输入所述采集电流,所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均接地;所述第二电流镜电路包括:第一PMOS管和至少两个第二PMOS管,所述第二PMOS管的数量与所述选择开关数量相同;所述第一PMOS管的源极连接所述第二PMOS管的源极和电源电压,所述第一PMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极和第二NMOS管的漏极;所述第二PMOS管的漏极和所述选择开关的第一端一一对应连接。3.一种校正装置,其特征在于,所述校正装置适于执行第一测试操作,所述校正装置包括:权利要求1所述的校正电路;温度控制单元,适于在所述第一测试操作中,使所述待测目标的温度稳定在第一预设温度,所述第一预设温度小于所述待测目标的高温阈值且大于
\t低温阈值;第一电压设置单元,适于在所述第一测试操作中,将所述基准电压的电压值设置为与所述第一预设温度的大小相关;开关选择单元,适于在所述第一测试操作中,依次闭合一个或多个选择开关,使所述采样电压按照电压值由大到小或者由小到大的趋势变化。4.如权利要求3所述的校正装置,其特征在于,还包括:第一确定单元,适于在所述选择开关中确定第一校正开关,所述第一校正开关为:所述开关选择单元在所述第一测试操作中依次闭合一个或多个选择开关时,使所述比较器输出的比较结果发生跳变的选择开关。5.如权利要求3所述的校正装置,其特征在于,所述校正装置还适于执行第二测试操作;所述温度控制单元,还适于在所述第二测试操作中,使所述待测目标的温度稳定在第二预设温度,所述第二预设温度小于所述待测目标的高温阈值且大于低温阈值,所述第二预设温度与所述第一预设温度的不相同;所述第一电压设置单元,还适于在所述第二测试操作中,将所述基准电压的电压值设置为与所述第二预设温度的大小相关;所述开关选择单元,还适于在所述第二测试操作中,依次闭合一个或多个选择开关,使所述采样电压按照电压值由大到小或者由小到大的趋势变化。6.如权利要求5所述的校正装置,其特征在于,还包括:第二确定单元,适于在所述选择开关中确定第二校正开关,所述第二校正开关为:所述开关选择单元在所述第二测试操作中依次闭合一个或多个选择开关时,使所述比较器输出的比较结果发生跳变的选择开关。7.一种温度检测电路,其特征在于,包括:权利要求1所述的校正电路;第二电压设置单元,适...
【专利技术属性】
技术研发人员:唐华,周世聪,荀本鹏,刘飞,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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