一种存储芯片门限电压调节方法、装置以及存储芯片制造方法及图纸

本申请公开了一种存储芯片门限电压调节方法、装置以及存储芯片，在存储芯片内设置有相互独立的第一存储块和第二存储块，第一存储块为只读模式，第二存储块用于存储用户数据，该方法包括：检测第一存储块内的误码率，并根据误码率计算第一存储块的数据保留时间；判断第二存储块的擦写次数是否等于预设擦写次数；如果是，在预先设置的数据保留时间和门限电压值关系表中查找与数据保留时间相对应的门限电压值；根据查找到的门限电压值调节第二存储块读取数据时的门限电压。该方法实现了在超过标准擦写次数后，用户仍然可以从存储芯片内读取到符合纠错码ECC要求的数据，延长了存储芯片的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种存储芯片门限电压调节方法、装置以及存储芯片
本申请涉及数据存储
，特别是涉及一种存储芯片门限电压调节方法、装置以及存储芯片。
技术介绍
TLC（Triple-LevelCell，三阶储存单元）可以在每个储存单元内储存3个信息比特，并且由于其储存容量变大，成本低廉许多，广泛用于低阶的NANDFlash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。通过对现有技术研究，申请人发现：TLC在一次编程以后，会随着时间流逝发生数据保留（dataretention），即会出现存储电荷泄露造成电压漂移，从而导致BER（BitErroRate，误码率）上升。这个特性成为影响TLC寿命的重要原因，举例来说，TLC的标称P/Ecycle即擦写次数为500次，那么小于这个阈值的话其放置一年后由于数据保留造成的BER可以在ECC（ErrorCorrectionCode，纠错码）的校验范围内，而大于这个阈值就则会超出ECC的校验范围，从而限制了TLC的使用寿命。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例提供一种存储芯片门限电压调节方法、装置以及存储芯片，以实现提高存储芯片的使用寿命。为了实现上述目的，本申请实施例提供的技术方案如下：一种存储芯片门限电压调节方法，在存储芯片内设置有相互独立的第一存储块和第二存储块，所述第一存储块为只读模式，所述第二存储块用于存储用户数据，该方法包括：检测所述第一存储块内的误码率，并根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间；判断所述第二存储块的擦写次数是否等于预设擦写次数；如果是，在预先设置的数据保留时间和门限电压值关系表中查找与所述数据保留时间相对应的门限电压值；根据查找到的门限电压值调节所述第二存储块读取数据时的门限电压。优选地，所述根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间，包括：判断所述误码率是否小于等于预设阈值，所述预设阈值小于所述第一存储块的最大误码率；如果是，在预先设置的误码率和数据保留时间的关系表中查找与所述误码率相对应的数据保留时间。优选地，其特征在于，所述根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间，包括：判断所述误码率是否大于等于所述最大误码率；如果是，按照预设方式调节所述第一存储块的门限电压直至所述误码率小于所述误码率最大值；记录调节后第一存储块的门限电压值和误码率；在预先设置的门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表中查找第一存储块的数据保留时间。优选地，所述根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间，包括：判断所述误码率是否位于所述预设阈值与所述最大误码率之间；如果是，按照预设方式调节所述第一存储块的门限电压直至所述误码率小于所述预设阈值；记录调节后第一存储块的门限电压值和误码率；在预先设置的门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表中查找第一存储块的数据保留时间。优选地，所述预设方式包括：按照固定的幅度将所述第一存储块的门限电压调小。一种存储芯片门限电压调节装置，在存储芯片内设置有相互独立的第一存储块和第二存储块，所述第一存储块为只读模式，所述第二存储块用于存储用户数据，该装置包括：误码率检测单元，用于检测所述第一存储块内的误码率；数据保留时间计算单元，用于根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间；擦写次数判断单元，用于判断所述第二存储块的擦写次数是否等于预设擦写次数；门限电压查找单元，用于当所述擦写次数判断单元的判断结果为是时，在预先设置的数据保留时间和门限电压值关系表中查找与所述数据保留时间相对应的门限电压值；第二存储块门限电压调节单元，用于根据查找到的门限电压值调节所述第二存储块读取数据时的门限电压。优选地，所述数据保留时间计算单元包括：第一误码率判断单元，用于判断所述误码率是否小于等于预设阈值，所述预设阈值小于所述第一存储块的最大误码率；查找单元，用于当所述第一误码率判断单元的判断结果为是时，在预先设置的误码率和数据保留时间的关系表中查找与所述误码率相对应的数据保留时间。优选地，所述数据保留时间计算单元还包括：第二误码率判断单元，用于判断所述误码率是否大于等于所述最大误码率；第一门限调节单元，用于当所述第二误码率判断单元的判断结果为是时，按照预设方式调节所述第一存储块的门限电压直至所述误码率小于所述误码率最大值，所述预设方式包括：按照固定的幅度将所述第一存储块的门限电压调小；记录单元，用于记录调节后第一存储块的门限电压值和误码率；所述查找单元在预先设置的门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表中查找第一存储块的数据保留时间。优选地，所述数据保留时间计算单元还包括：第三误码率判断单元，用于判断所述误码率是否位于所述预设阈值与所述最大误码率之间；第二门限电压调节单元，用于当所述第三误码率判断单元的判断结果为是时，按照预设方式调节所述第一存储块的门限电压直至所述误码率小于所述预设阈值，所述预设方式包括：按照固定的幅度将所述第一存储块的门限电压调小；所述记录单元记录调节后第一存储块的门限电压值和误码率；所述查找单元在预先设置的门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表中查找第一存储块的数据保留时间。优选地，进一步包括：与所述查找单元相连接的关系表存储单元，用于存储数据保留时间和门限电压值关系表、误码率和数据保留时间的关系表、门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表中的一个或多个。一种存储芯片，所述存储芯片包括：第一存储块、第二存储块和存储芯片门限电压调节装置，其中，所述第一存储块和第二存储块相互独立，并且所述第一存储块为只读模式，所述第二存储块用于存储用户数据；所述存储芯片门限电压调节装置包括：误码率检测单元，用于检测所述第一存储块内的误码率；数据保留时间计算单元，用于根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间；擦写次数判断单元，用于判断所述第二存储块的擦写次数是否等于预设擦写次数；门限电压查找单元，用于当所述擦写次数判断单元的判断结果为是时，在预先设置的数据保留时间和门限电压值关系表中查找与所述数据保留时间相对应的门限电压值；第二存储块门限电压调节单元，用于根据查找到的门限电压值调节所述第二存储块读取数据时的门限电压。由以上技术方案可见，本申请实施例提供的该存储芯片门限电压调节方法、装置以及存储芯片，通过检测第一存储块内的误码率，就可以计算出第一存储块的数据保留时间，进而利用该数据保留时间，对超过擦写次数的第二存储块读取数据时的门限电压进行调节，以使得第二存储块的误码率位于纠错码ECC的校验范围内，实现了在超过标准擦写次数后，用户仍然可以从存储芯片内读取到符合纠错码ECC要求的数据，延长了存储芯片的使用寿命。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种存储芯片门限电压调节方法的流程示意图；图2为本申请实施例提供的另一种存储芯片门限电压调节方法的流程示意图；图3为本申请实施例提供的又一种存储芯片门限电压调节方法的流程示意图；图4为本申请实施例提供的又一种存储芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储芯片门限电压调节方法，其特征在于，在存储芯片内设置有相互独立的第一存储块和第二存储块，所述第一存储块为只读模式，所述第二存储块用于存储用户数据，该方法包括：检测所述第一存储块内的误码率，并根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间；判断所述第二存储块的擦写次数是否等于预设擦写次数；如果是，在预先设置的数据保留时间和门限电压值关系表中查找与所述数据保留时间相对应的门限电压值；根据查找到的门限电压值调节所述第二存储块读取数据时的门限电压。

【技术特征摘要】
1.一种存储芯片门限电压调节方法，其特征在于，在存储芯片内设置有相互独立的第一存储块和第二存储块，所述第一存储块为只读模式，所述第二存储块用于存储用户数据，该方法包括：检测所述第一存储块内的误码率，并根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间；判断所述第二存储块的擦写次数是否等于预设擦写次数；如果是，在预先设置的数据保留时间和门限电压值关系表中查找与所述数据保留时间相对应的门限电压值；根据查找到的门限电压值调节所述第二存储块读取数据时的门限电压。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间，包括：判断所述误码率是否小于等于预设阈值，所述预设阈值小于所述第一存储块的最大误码率；如果是，在预先设置的误码率和数据保留时间的关系表中查找与所述误码率相对应的数据保留时间。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间，包括：判断所述误码率是否大于等于所述最大误码率；如果是，按照预设方式调节所述第一存储块的门限电压直至所述误码率小于所述最大误码率；记录调节后第一存储块的门限电压值和误码率；在预先设置的门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表中查找第一存储块的数据保留时间。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间，包括：判断所述误码率是否位于所述预设阈值与所述最大误码率之间；如果是，按照预设方式调节所述第一存储块的门限电压直至所述误码率小于所述预设阈值；记录调节后第一存储块的门限电压值和误码率；在预先设置的门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表中查找第一存储块的数据保留时间。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预设方式包括：按照固定的幅度将所述第一存储块的门限电压调小。6.一种存储芯片门限电压调节装置，其特征在于，在存储芯片内设置有相互独立的第一存储块和第二存储块，所述第一存储块为只读模式，所述第二存储块用于存储用户数据，该装置包括：误码率检测单元，用于检测所述第一存储块内的误码率；数据保留时间计算单元，用于根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间；擦写次数判断单元，用于判断所述第二存储块的擦写次数是否等于预设擦写次数；门限电压查找单元，用于当所述擦写次数判断单元的判断结果为是时，在预先设置的数据保留时间和门限电压值关系表中查找与所述数据保留时间相对应的门限电压值；第二存储块门限电压调节单元，用于根据查找到的门限电压值调节所述第二存储块读取数据时的门限电压。7.根据权利要求6所述的装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：高长磊，杨碧波，管慧娟，
申请(专利权)人：联想北京有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11