一种集成芯片参考电压校准方法、装置及使用方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种集成芯片参考电压校准方法、装置及使用方法，通过在IC内部增设电子熔丝模块，并对电子熔丝模块进行读写操作以实现对IC的参考电压进行校准的方式，将现有的外部校准方案改成了内部校准方案，能够较大地降低IC设计、测试校准及生产制造的成本。本发明专利技术集成芯片参考电压校准方法包括：在IC验证测试阶段，根据电子熔断模块的工作需要，搭建好用于给IC内部校准参考电压的电路；S1、获取所述IC的外部校准参考电压；S2、将外部校准参考电压与理论标准值比较，得到调节值；S3、根据调节值及电子熔丝模块的档位校准关系得到电子熔丝模块内熔断位的档位组合值；S4、向电子熔丝模块写入档位组合值，完成对所述IC自身产生的参考电压的校准。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及电子电路领域，具体涉及一种集成芯片参考电压校准方法、装 置及使用方法。
技术介绍
参考基准电压（Voltage reference, VREFO 在集成芯片（integrated circuit, IC) 的模拟电路工作上起到重要的作用，其应用比较广泛，包括：音频ADC, DAC，开关机电路，充 电电路等等，例如带充电电路的芯片控制充电的过程，假若它的VREF与理论标准值相差过 大，就会导致无法正常充电。由于每颗出产的芯片在设计产生veパ的基准电路上都会存在 着生产工艺上的偏差，因而会导致并非所有IC实际产生的VREF电压都在可接受的精度范 围之内，因此需要对IC的VREF进行校正操作。 现有IC的VREF的校正方案，主要是IC外部校正的方法，送种方法需要在IC上有 一个VREF输入管脚，由所工作的系统外部增加一个精准电源W及一些外围电子元器件来 给IC的V服F输入管脚提供一个标准的输入电压，W组成IC校正环境，然后再对IC的VREF 进行校正。送种方法能够比较精确地对IC的VREF进行校正，也是现有很多IC生成商所采 用的校正方案。 然而由于外部需本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成芯片参考电压校准装置，包括IC，其特征在于，还包括用于调节所述IC参考电压的电子熔丝模块；所述电子熔丝模块安装在所述IC内部；所述电子熔丝模块包括若干熔断位；所述若干熔断位的组合配置用于实现对所述IC参考电压的调节。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：操冬华，苏俊杰，胡胜发，
申请(专利权)人：安凯广州微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44