【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于检测单芯片集成电路装置的错误操作，以及特别有关于检测单芯片集成电路装置中的电源电压突波。
技术介绍
某些类型的单芯片集成电路装置包括一个或多个用以监控装置的操作状况的模拟检测电路，以检测装置是否操作于特定界限外。其中，操作状况包括电源电压或者内部电压、温度以及时钟速率。当检测到错误状况时，模拟检测电路将单芯片硅装置设置为关机或者重置的状态以避免装置的不正确操作或者对使用中的装置或者系统造成损害。由于界限太窄可能会使检测电路产生假触发(falsetrigger)，以及界限太宽可能会使检测电路过于无响应(overlynonresponsive)，因此建立操作状况界限为具有挑战性的。改善监测装置检测电路的操作状况的目的是为降低假触发以及无响应的风险。
技术实现思路
本专利技术提供了一种检测电源电压突波方法以及单芯片集成电路装置，解决现有技术中界限太窄可能会使检测电路产生假触发(falsetrigger)，以及界限太宽可能会使检测电...
【技术保护点】
一种检测电源电压突波方法，其特征在于，所述电源电压提供至具有多个操作模式的一单芯片集成电路装置，该检测电源电压突波方法包括：一第一操作模式步骤，以一第一操作模式操作所述单芯片集成电路装置，其中所述第一操作模式选取自所述多个操作模式中；一配置可配置检测阈值步骤，根据所述第一操作模式配置一可配置检测阈值作为分别对应于一个或多个所述操作模式的多个检测阈值的一者以响应所述第一操作模式步骤；以及一监测电源电压步骤，监测所述电源电压，当所述电源电压不符合所述可配置检测阈值时，则监测为一突波。
【技术特征摘要】
1.一种检测电源电压突波方法，其特征在于，所述电源电压提供至具有多个操
作模式的一单芯片集成电路装置，该检测电源电压突波方法包括：
一第一操作模式步骤，以一第一操作模式操作所述单芯片集成电路装置，其中所
述第一操作模式选取自所述多个操作模式中；
一配置可配置检测阈值步骤，根据所述第一操作模式配置一可配置检测阈值作为
分别对应于一个或多个所述操作模式的多个检测阈值的一者以响应所述第一操作模
式步骤；以及
一监测电源电压步骤，监测所述电源电压，当所述电源电压不符合所述可配置检
测阈值时，则监测为一突波。
2.如权利要求1所述的检测电源电压突波方法，其特征在于，
所述配置可配置检测阈值步骤所配置的所述可配置检测阈值包括一既定最小期
间的一低电压阈值；以及
所述突波具有小于所述低电压阈值的一最小电压振幅或者持续一持续时间且小
于所述低电压阈值的一最小电压振幅，其中所述持续时间大于所述既定最小期间。
3.如权利要求1所述的检测电源电压突波方法，其特征在于，
所述配置可配置检测阈值步骤所配置的所述可配置检测阈值包括一既定最小期
间的一高电压阈值；以及
所述第一突波具有大于所述高电压阈值的一最大电压振幅或者持续一持续时间
且大于所述高电压阈值的一最大电压振幅，其中所述持续时间大于所述既定最小期间。
4.如权利要求1所述的检测电源电压突波方法，其特征在于，所述检测阈值具有
多个低检测阈值以及多个高检测阈值，该检测电源电压突波方法还包括：
根据所述第一操作模式配置一额外可配置检测阈值作为分别对应于一个或多个
所述操作模式的多个检测阈值的一者以响应所述第一操作模式步骤，其中所述可配置
检测阈值为所述低检测阈值，所述额外可配置检测阈值为所述高检测阈值；以及
于所述监测电源电压步骤中，当所述电源电压不符合所述额外可配置检测阈值时，
则监测为一突波。
5.如权利要求4所述的检测电源电压突波方法，其特征在于，该检测电源电压突
\t波方法还包括：
于所述监测电源电压步骤中检测一第一突波；以及
设定一警示以响应所述第一突波。
6.如权利要求1所述的检测电源电压突波方法，其特征在于，该检测电源电压突
波方法还包括：
一第二操作模式步骤，以一第二操作模式操作所述单芯片集成电路装置，其中所
述第二操作模式接续于所述第一操作模式且不同于所述第一操作模式；
根据所述第二操作模式配置一接续可配置检测阈值作为对应于一个或多个所述
操作模式的多个检测阈值的一者以响应所述第二操作模式步骤；以及
一接续监测电源电压步骤，监测所述电源电压，当所述电源电压不符合所述接续
可配置检测阈值时，则监测为一突波。
7.一种检测电源电压突波方法，其特征在于，所述电源电压提供至具有多个操
作模式的一单芯片集成电路装置，该检测电源电压突波方法包括：
以一读取操作模式、一抹除操作模式、或者一编程操作模式的一者操作所述单芯
片集成电路装置；
根据所述读取操作模式配置一可配置低检测阈值作为一第一低检测...
【专利技术属性】
技术研发人员：尼尔·塔莎，瓦勒利·特波，郑展为，黄科颖，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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