本发明专利技术提供一种负电压基准电路，包括运算放大器U1和U2，电阻R1、R2、R3和R4，PMOS管M1和NMOS管M2；U1的同相输入端接正基准电压+Vref，输出端接PMOS管M1的栅极，PMOS管M1的源极接正电源电压VCC，漏极接电阻R1的一端；U1的反相输入端接电阻R1的另一端和电阻R2的一端；电阻R2的另一端接电阻R3的一端和U2的反相输入端；U2的同相输入端接地；电阻R3的另一端接电阻R4的一端，电阻R4的另一端接NMOS管M2的漏极；NMOS管M2的栅极接U2的输出端，源极接负电源电压Vee；从电阻R3与R4连接的那一端获得负基准电压-Vref。本发明专利技术实现了电压基准由正电压域到负电压域的转换。电路中仅需设计一套带隙基准电压。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电压基准电路，特别是涉及一种负电压基准电路。
技术介绍
电压基准电路在模拟集成电路中是一个非常重要的模块，该模块为电路中的其他模块提供精准的电压。随着电路技术的发展，系统的日益复杂，电压域的增多，一个电路系统中，需要用到多种不同的电压基准。在同一个电压域中常把带隙基准电压通过电阻网络或倍压方式，实现多种各种不同的基准电压，但当电路中需要正电压基准及负电压基准时，采用该种方法无法实现，必须要设计两套带隙基准，才能满足要求。也就是说，现有电路中只设计一套带隙基准的话，无法实现电压基准由正电压域到负电压域的转换。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中存在的不足，提供一种负电压基准电路，该负电压基准电路采用两个差分运算放大器，及电阻网络，实现了电压基准由正电压域到负电压域的转换。电路中仅需设计一套带隙基准电压，既可实现全电压域的基准电压。本专利技术采用的技术方案是: 一种负电压基准电路，包括:两个串联的电阻，在该两个串联的电阻连接的节点上设一零电位，在第一个电阻非串联连接节点的另一端设一正基准电压，从第二个电阻非串联连接节点的另一端获取负基准电压。上述负电压基准电路，具体包括运算放大器Ul和U2，电阻Rl、R2、R3和R4，PMOS管Ml和NMOS管M2 ； 电阻R2为上述两个串联的电阻中的第一个电阻，电阻R3为上述两个串联的电阻中的第二个电阻； 运算放大器Ul的同相输入端接正基准电压+Vref，输出端接PMOS管Ml的栅极，PMOS管Ml的源极接正电源电压VCC，漏极接电阻Rl的一端；运算放大器Ul的反相输入端接电阻Rl的另一端和电阻R2的一端；电阻R2的另一端接电阻R3的一端和运算放大器U2的反相输入端；运算放大器U2的同相输入端接地；电阻R3的另一端接电阻R4的一端，电阻R4的另一端接NMOS管M2的漏极；NM0S管M2的栅极接运算放大器U2的输出端，源极接负电源电压Vee ； 从电阻R3与R4连接的那一端获得负基准电压-Vref。进一步地，所述电阻R2为可变电阻。本专利技术的优点在于: O能够实现基准电压由正电压域到负电压域的转换。2)通过调节R2电阻，可以实现多种不同的负基准电压。3)电路中仅需设计一套带隙基准电压，既可实现全电压域的基准电压。【附图说明】图1为本专利技术的结构组成示意图。【具体实施方式】下面结合具体附图和实施例对本专利技术作进一步说明。本专利技术提出的负电压基准电路，如图1所示，包括运算放大器Ul和U2，电阻R1、R2、R3 和 R4，PMOS 管 Ml 和 NMOS 管 M2 ； 运算放大器Ul的同相输入端接正基准电压+Vref，输出端接PMOS管Ml的栅极，PMOS管Ml的源极接正电源电压VCC，漏极接电阻Rl的一端；运算放大器Ul的反相输入端接电阻Rl的另一端和电阻R2的一端；电阻R2的另一端接电阻R3的一端和运算放大器U2的反相输入端；运算放大器U2的同相输入端接地；电阻R3的另一端接电阻R4的一端，电阻R4的另一端接NMOS管M2的漏极；NM0S管M2的栅极接运算放大器U2的输出端，源极接负电源电压Vee ； 从电阻R3与R4连接的那一端获得负基准电压-Vref。上述正基准电压+Vref为正的带隙基准电压。运算放大器Ul和U2都是差分运算放大器。根据图1的电路逻辑，考虑Ul以及U2各自的两输入端间“虚短”，A节点电压为正基准电压+Vref，B节点电压为GND，由于流经R2、R3电阻上的电流完全相同，可以得到-Vref=R3/R2* (+Vref)，实现正电压基准到负电压基准的转换，调整R2的电阻阻值，既可实现多种不同的负基准电压。【主权项】1.一种负电压基准电路，其特征在于，包括:两个串联的电阻，在该两个串联的电阻连接的节点上设一零电位，在第一个电阻非串联连接节点的另一端设一正基准电压，从第二个电阻非串联连接节点的另一端获取负基准电压。2.如权利要求1所述的负电压基准电路，其特征在于，包括运算放大器Ul和U2，电阻Rl、R2、R3 和 R4，PMOS 管 Ml 和 NMOS 管 M2 ； 电阻R2为上述两个串联的电阻中的第一个电阻，电阻R3为上述两个串联的电阻中的第二个电阻； 运算放大器Ul的同相输入端接正基准电压+Vref，输出端接PMOS管Ml的栅极，PMOS管Ml的源极接正电源电压VCC，漏极接电阻Rl的一端；运算放大器Ul的反相输入端接电阻Rl的另一端和电阻R2的一端；电阻R2的另一端接电阻R3的一端和运算放大器U2的反相输入端；运算放大器U2的同相输入端接地；电阻R3的另一端接电阻R4的一端，电阻R4的另一端接NMOS管M2的漏极；NM0S管M2的栅极接运算放大器U2的输出端，源极接负电源电压Vee ； 从电阻R3与R4连接的那一端获得负基准电压-Vref。3.如权利要求2所述的负电压基准电路，其特征在于: 所述电阻R2为可变电阻。【专利摘要】本专利技术提供一种负电压基准电路，包括运算放大器U1和U2，电阻R1、R2、R3和R4，PMOS管M1和NMOS管M2；U1的同相输入端接正基准电压+Vref，输出端接PMOS管M1的栅极，PMOS管M1的源极接正电源电压VCC，漏极接电阻R1的一端；U1的反相输入端接电阻R1的另一端和电阻R2的一端；电阻R2的另一端接电阻R3的一端和U2的反相输入端；U2的同相输入端接地；电阻R3的另一端接电阻R4的一端，电阻R4的另一端接NMOS管M2的漏极；NMOS管M2的栅极接U2的输出端，源极接负电源电压Vee；从电阻R3与R4连接的那一端获得负基准电压-Vref。本专利技术实现了电压基准由正电压域到负电压域的转换。电路中仅需设计一套带隙基准电压。【IPC分类】G05F1-56【公开号】CN104808737【申请号】CN201510201093【专利技术人】任罗伟, 王成, 于宗光, 俞小平 【申请人】无锡中微爱芯电子有限公司【公开日】2015年7月29日【申请日】2015年4月24日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种负电压基准电路，其特征在于，包括：两个串联的电阻，在该两个串联的电阻连接的节点上设一零电位，在第一个电阻非串联连接节点的另一端设一正基准电压，从第二个电阻非串联连接节点的另一端获取负基准电压。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：任罗伟，王成，于宗光，俞小平，
申请(专利权)人：无锡中微爱芯电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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