蒸镀掩模、蒸镀装置、薄膜形成方法制造方法及图纸

提供一种能够对应于大型基板的蒸镀掩模、蒸镀装置、蒸镀方法。在蒸镀掩模（10）上形成开口部（11），以使其中心间距离为基板（50）的像素（51a1、51a2）的中心间距离的2倍。将该蒸镀掩模配置在基板上，在进行对位以使开口部和遮蔽部（19）交替地配置在各像素（51a1、51a2、51ax）的上方的状态下，将与开口部面对的像素（51a1）成膜，接着使蒸镀掩模移动像素（51a1、51a2）的中心间距离，使开口部位于在移动前与遮蔽部面对的未成膜的像素（51a2、51ax）的上方，在此状态下在未成膜的像素（51a2、51ax）上成膜薄膜。由于开口部的间隔比以往宽，所以能够使在开口部形成时蒸镀掩模损坏的可能性比以往减小，大型的蒸镀掩模的制造变得容易。

Vapor deposition mask, vapor deposition apparatus, and film formation method

A vapor deposition mask, a vapor deposition device, and a vapor deposition method are provided that correspond to a large substrate. An opening (11) is formed on the evaporation mask (10) so that the distance between the centers is 2 times of the center distance between the pixels (51a1, 51a2) of the substrate (50). The plating mask is configured on the substrate in the steaming, in order to make the opening and para shielding part (19) arranged alternately in each pixel (51a1, 51a2, 51ax) of the above condition, the pixel will face and the opening part (51a1) film, then the deposition mask moving pixels (51a1, 51a2) the distance between the centers, the opening is located in pixels before moving and the shielding part face without film (51a2, 51ax) above, in this state is not in pixel film (51a2, 51ax) on the film. Since the opening portion is wider than in the past, the possibility of damage to the evaporation mask is reduced in the opening portion, and the fabrication of the large evaporation mask becomes easy.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别涉及在大型基板上成膜有机 EL的发光层的技术。
技术介绍
目前，作为有机EL的制造手法，一般是使用蒸镀掩模的真空蒸镀法。蒸镀掩模为了转印高精密的图案而需要使热伸长最小化，在蒸镀掩模的材质中主要使用殷钢等。图1表示作为蒸镀对象物的基板50的俯视图。在基板50上，配置有应形成红色的发光层的像素51，以使其中心位于相互平行且等间隔的多个直线53a 53c上，使该直线 53a 53c的像素51的中心间距离相等。图15表示以往的像素型的蒸镀掩模110的俯视图。在蒸镀掩模110上，设有与像素51相同形状且相同大小的多个开口部111，以使其位于相互平行且与上述直线53a 53c相同间隔的多个掩模基准线113a 113c上，使掩模基准线113a 113c上的开口部 111的中心间距离与上述直线53a 53c的像素51的中心间距离相等。图16表示以往的带型的蒸镀掩模110的俯视图。在蒸镀掩模110上，设有比上述直线53a 53c上的像素51整体的长度长的带状的多个开口部111，以使其位于相同的掩模基准线113上，使开口部111的中心间距离与上述直线53a 53c的间隔相等。像素型和带型的哪种蒸镀掩模110都将蒸镀掩模110和基板50配置为，使蒸镀掩模110具有的掩模标记112与基板50具有的基板标记52重叠。在此状态下，构成为，使开口部111分别重叠在同色、即相同颜色的所有的像素51上。各发光层区域如图1所示，例如是沿着上述直线53a 53c的方向的长度为 110 μ m、与其垂直的方向的长度为70 μ m的长方形的形状，相邻的像素以10 μ m的间隔配置在基板50上。为了用于该大小的基板50的蒸镀，在以往的像素型的蒸镀掩模110中，需要将沿着掩模基准线113a 113c相邻的开口部111以IOym的间隔形成。此外，在以往的带型的蒸镀掩模110中，需要将相邻的开口部111以170μπι的间隔形成。特别是，在像素型的蒸镀掩模110中，由于相邻的开口部111的间隔较窄，所以在形成开口部111时，有可能因强度不足而蒸镀掩模110损坏。为了提高有机EL制造的生产率，有想要以大型基板制造有机EL的要求，但制造大型的蒸镀掩模在开口形成时有可能有上述那样的损坏，所以是困难的，成为问题。特别是， 难以制造对应于G5尺寸以上的大型基板的蒸镀掩模。特开2000— 188179号公报。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述以往技术的不良状况而做出的，其目的是提供一种能够对应于大型基板的蒸镀掩模、蒸镀装置、蒸镀方法。为了解决上述课题，本专利技术是一种蒸镀掩模，是构成为使得蒸汽能够到达基板上的成膜相同材料的多个像素的蒸镀掩模，在一部分的上述像素上具有使上述蒸汽通过的开口部；在上述蒸镀掩模的一方向上相邻的上述开口部的中心间距离是被用相同材料成膜、 并且在上述一方向上相邻的上述像素的中心间距离的多倍。本专利技术是蒸镀掩模，上述一方向是被用相同材料成膜、并且相邻的上述像素的间隔较短的方向。本专利技术是蒸镀掩模，具有以与在上述一方向上相邻的上述像素的中心间距离相同的中心间距离配置的多个掩模标记。本专利技术是一种蒸镀装置，具有上述蒸镀掩模；真空槽，在内部配置上述蒸镀掩模；真空排气装置，将上述真空槽内真空排气；蒸镀源，对上述真空槽内释放蒸镀材料的蒸汽；对位装置，将上述蒸镀掩模与上述基板对位。本专利技术是蒸镀掩模，上述对位装置具有检测装置，检测上述蒸镀掩模具有的掩模标记、和上述基板具有的基板标记；掩模移动装置，使上述蒸镀掩模沿平行于上述蒸镀掩模表面的方向移动、并且绕垂直于上述蒸镀掩模表面的旋转轴线旋转；控制装置，基于上述检测装置的检测结果，决定上述掩模移动装置进行的上述蒸镀掩模的移动的方向和移动的量、和上述蒸镀掩模的旋转的方向和旋转的量。本专利技术是一种薄膜形成方法，是在真空排气后的真空槽内配置具有由相同材料成膜的多个像素的基板、蒸镀源、和具有多个开口部的蒸镀掩模、在上述基板上进行成膜的薄膜形成方法，上述像素以矩阵状配置；上述蒸镀掩模的上述开口部的行间的中心距离是上述像素的行间的中心距离的多倍；具有在奇数行上的上述像素上重叠上述开口部而成膜的步骤；使上述蒸镀掩模和上述基板的某个沿列方向相对移动上述像素的中心距离的倍数的步骤；在偶数行上的上述像素上重叠上述开口部而成膜的步骤。本专利技术是一种薄膜形成方法，是在真空排气后的真空槽内配置具有位置相互离开的多个像素的基板、从蒸镀源向上述真空槽内释放蒸镀材料的蒸汽、在应形成薄膜的上述像素上形成薄膜的薄膜形成方法，各上述像素的中心配置在相互平行的多个基板基准线的某个基板基准线上，使上述基板基准线上的上述像素的中心间距离相等；使在一方向上相邻的上述开口部的中心间距离是由相同材料成膜、并且在上述一方向上相邻的上述像素的中心间距离的2倍的上述蒸镀掩模与上述基板面对，成为在与各上述像素重叠的位置上对位配置上述基板和上述蒸镀掩模、以使上述开口部和遮蔽上述蒸汽的遮蔽部在沿着上述基板基准线的方向上交替地配置的第一状态；一边维持上述第一状态，一边使上述蒸汽到达在面对的位置处配置有上述开口部的上述像素表面，形成上述薄膜；在使上述蒸汽的到达停止后，使上述蒸镀掩模向沿着上述基板基准线的移动方向移动上述中心间距离，成为上述开口部位于在上述第一状态下在面对的位置上配置有上述遮蔽部的上述像素上的第二状态；一边维持上述第二状态，一边使上述蒸汽到达上述成膜对象物，形成上述薄膜。本专利技术是薄膜形成方法，在上述蒸镀掩模内配置上述开口，以使其在上述第一状态下在沿着上述基板基准线的应形成上述薄膜的上述像素的列的上述移动方向的最末尾配置有与上述遮蔽部面对的上述像素的情况下、与从上述像素靠后方上述中心间距离的沿着上述基板基准线的区域外位置面对；上述最末尾的上述像素在上述第二状态下与上述区域外位置的上述开口面对。大型的蒸镀掩模的制造变得容易。因而，能够通过使用蒸镀掩模的真空蒸镀法进行大型基板的成膜，能够提高有机EL的生产率。附图说明图1是作为蒸镀对象物的基板的俯视图。图2是本专利技术的像素型的蒸镀掩模的第一例的俯视图。图3 (a)、图3 (b)是用来说明在第一状态下偶数个中的奇数行的像素与开口部面对的情况的图。图4 (a)、图4 (b)是用来说明在第一状态下奇数个中的奇数行的像素与开口部面对的情况的图。图5 (a)、图5 (b)是用来说明在第一状态下偶数个中的奇数行的像素与遮蔽部面对的情况的图。图6 (a)、图6 (b)是用来说明在第一状态下奇数个中的奇数行的像素与遮蔽部面对的情况的图。图7是本专利技术的像素型的蒸镀掩模的第二例的俯视图。图8是本专利技术的带型的蒸镀掩模的俯视图。图9是本专利技术的蒸镀装置的内部结构图。图10是用来说明将基板配置在真空槽内的状态的图。图11是用来说明将基板保持框抬起的状态的图。图12是用来说明基板吸附装置进行的基板的吸附的图。图13是用来说明基板与蒸镀掩模的间隔调节的图。图14是用来说明蒸镀掩模更换方法的图。图15是以往的像素型的蒸镀掩模的俯视图。图16是以往的带型的蒸镀掩模的俯视图。图17是本专利技术的像素型的蒸镀掩模的第三例的俯视图。图18是作为蒸镀对象物的基板的第二例的俯视图。图19是在第二例的基板的成膜中使用的蒸镀掩模的俯视图。图20是用来说明向真本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．　一种蒸镀掩模，是构成为使得蒸汽能够到达基板上的成膜相同材料的多个像素的蒸镀掩模，其特征在于，在一部分的上述像素上具有使上述蒸汽通过的开口部；在上述蒸镀掩模的一方向上相邻的上述开口部的中心间距离是被用相同材料成膜、并且在上述一方向上相邻的上述像素的中心间距离的多倍。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：深尾万里，羽根功二，伊藤正博，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：JP