【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】可去除隔离层
本专利技术涉及半导体器件的形成。
技术介绍
在CMOS器件形成中，在沟道上方形成栅堆叠。可以在 所述栅堆叠的侧面形成隔离层，以便所述隔离层被用作掺杂剂掩模 和空间隔离层。
技术实现思路
为了实现上面所述并且根据本专利技术的目的，提供一种形 成半导体器件的方法。栅堆叠形成在村底表面上方。提供用来在所 述栅堆叠侧面形成聚合物隔离层的多个循环，其中每个循环包括提 供沉积阶,殳，其在所述聚合物隔离层的侧面上和所述衬底表面上方 沉积材料，以及提供清洁阶段，其去除衬底表面上方的聚合物以及 成形该被沉积材料的轮廓。使用所述隔离层作为掺杂剂掩模将掺杂 剂注入衬底。将所述聚合物隔离层去除。在本专利技术的另一个形式中，通过下面的方法形成半导体。 栅堆叠形成在衬底表面上方。提供用来在所述栅堆叠侧面形成聚合 物隔离层的多个循环，其中每个循环包括提供沉积阶段，其在所述 聚合物隔离层的侧面上和所述4于底表面上方沉积初1+,并且纟是供清 洁阶段，其去除衬底表面上方的聚合物以及成形该被沉积材料的轮廓。使用所述隔离层作为掺杂剂掩模将掺杂剂注入衬底。将所述聚 合物隔离层去除。在本专利技术下...
【技术保护点】
一种形成半导体器件的方法。包括： 在衬底表面上方形成栅堆叠； 提供用来在所述栅堆叠侧面形成聚合物隔离层的多个循环，其中每个循环包括： 提供沉积阶段，其在所述聚合物隔离层的侧面上和所述衬底表面上方沉积材料，并且 提供清 洁阶段，其去除所述衬底表面上方的聚合物以及成形该被沉积材料的轮廓； 使用所述聚合物隔离层作为掺杂剂掩模将掺杂剂注入所述衬底；以及 去除所述聚合物隔离层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：金智洙，柯南江，崔大汉，列扎SM萨贾迪，迈克尔葛斯，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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