温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供一种形成半导体器件的方法。栅堆叠形成在衬底表面上方。提供用来在所述栅堆叠侧面形成聚合物隔离层的多个循环，其中每个循环包括提供沉积阶段，其在所述聚合物隔离层的侧面上和所述衬底表面上方沉积材料，并且提供清洁阶段，其去除所述衬底表面上方的聚合...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。