具有自对准特征的沟槽栅极ＦＥＴ制造技术

一种场效应晶体管是如下形成的。在第一导电类型的半导体区中形成沟槽。形成在每个沟槽中凹入的栅电极。使用第一掩模，通过注入掺杂物在半导体区中形成第二导电类型的体区。使用第一掩模，通过注入掺杂物在体区中形成第一导电类型的源区。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体涉及半导体功率场效应晶体管(FET),且特别涉及 具有自对准特4正(自调整特征，self aligned feature )的沟槽4册才及功 率FET (沟槽栅功率FET )。
技术介绍
竖直沟槽棚-极MOSFET由于其优异的性能特性而广泛应用于 功率器件，所述优异的性能特性包括高速和低导通电阻，RDS。n。通 过增加沟槽密度可进一步减小Rw这可通过缩小器件的单元间距 (cell ptich)或尺寸而实现，从而使得每平方硅面积能够形成更多 的MOSFET。单元间距是通过沟槽、源才及以及体区(body region) 的宽度确定的。然而，减小单元间距受制造和设计局限性的限制，因为通常无 法使得特征小于光刻工具的分辨率。改变光刻设计是成本昂贵的减 小单元间距的方法。而且，形成源极和重体区的掩模步骤中的不对 准(失配)公差阻碍了单元间距减小的努力。虽然已经披露了用于13在FET中实现自对准特征的某些技术，但这些技术通常要求更多的 工艺步骤，并增加工艺复杂性，因此不是有成本效益的寺支术。因此，需要改进的FET及其形成方法。
技术实现思路
才艮据本专利技术的实施例，场效应晶体管是如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成沟槽栅极场效应晶体管的方法，包括：　在第一导电类型的半导体区中形成沟槽；　形成在每个沟槽中凹入的栅电极；　使用第一掩模，通过注入掺杂物在所述半导体区中形成第二导电类型的体区；以及　使用所述第一掩模，通过注入掺杂物在所述体区中形成第一导电类型的源区。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴赞毫，
申请(专利权)人：飞兆半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]