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一种场效应晶体管是如下形成的。在第一导电类型的半导体区中形成沟槽。形成在每个沟槽中凹入的栅电极。使用第一掩模，通过注入掺杂物在半导体区中形成第二导电类型的体区。使用第一掩模，通过注入掺杂物在体区中形成第一导电类型的源区。...
该专利属于飞兆半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞兆半导体公司授权不得商用。

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