衬托器和使用该衬托器形成LED器件的方法技术

本发明专利技术提供了一种用来固定用于ＬＥＤ生产的单晶晶片的衬托器，其包括衬托器主体，该主体包括用来承载单晶晶片的凹陷，所述凹陷具有表面糙度（Ｒ↓［最高１９１］）不大于约１０微米的表面。所述衬托器主体包括硅浸渍的碳化硅，和覆盖着该衬托器主体的氮化物层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用来制造电致发光器件的衬托器(suspector)，特别涉及用来 制造发光二极管(LED)器件的衬托器。
技术介绍
随着需求的增加，LED器件的生产在持续增长，这种需求部分程度上 是由LED器件在新用途中的应用推动的。在这些器件中，蓝色波长LED 器件是一个新进的研发成果，其利用掺杂的GaN产生所需的波长。尽管单 晶GaN基片为半导体层的外延生长提供了理想的模板，但是这种基片在成 本和可得性方面的限制使得人们寻求开发异质基片，例如蓝宝石。除了基 片材料选择以外，LED生产通常使用衬托器来承载基片，在基片上形成LED 器件。本领域需要能够形成高质量的LED器件的方法，还需要特别示于LED 器件制造的衬托器。
技术实现思路
本专利技术包括一种用来固定用于LED生产的单晶晶片的衬托器，其包括 衬托器主体，该主体包括用来承载单晶晶片的凹陷，所述凹陷具有表面糙度 参数R縣不大于约10微米的表面。所述衬托器主体包括硅浸渍的碳化硅和覆盖着该衬托器主体的氮化物层。一种用来形成半导体LED器件的方法，该方法包括提供衬托器，所述 衬托器包括(i)衬托器主体，该主体具有用来承载单晶晶片的凹陷，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用来固定用于生产ＬＥＤ的单晶晶片的衬托器，其包括：　衬托器主体，该主体具有用来承载单晶晶片的凹陷，其中，所述凹陷具有表面糙度Ｒ最高不大于约１０微米的表面，所述衬托器主体包含硅浸渍的碳化硅；以及　覆盖所述衬托器主体的氮化物层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：MA辛普森，
申请(专利权)人：圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]