在铝金属沉积过程中的晶圆放置盘制造技术

本实用新型专利技术公开了一种在铝金属沉积过程中的晶圆放置盘，该晶圆放置盘置于金属腔内的底部，为圆环结构，在圆弧内侧分布多个用于固定晶圆的夹钳，在圆环结构的表面，具有以晶圆放置盘的圆心为圆心，半径依次增大的多个圆环凹槽。本实用新型专利技术提供的晶圆放置盘能够在沉积金属衬垫的过程中防止晶圆被粘附损坏。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体技术中铝金属沉积领域，特别涉及一种在铝金属沉积过程 中的晶圆放置盘。
技术介绍
在半导体器件的制作过程中，常常会涉及金属薄膜的制成，比如铝金属沉积的制 成，用于在封装时通过引线连接到集成电路管壳上的电极上。通常，铝金属沉积的制作过程 都是将晶圆采用晶圆夹钳固定在金属腔体中，然后在金属腔体中采用溅射的方式在晶圆表 面得到铝金属沉积。图1为现有技术所采用的用于铝金属沉积的金属腔体剖面结构图，如图所示，该 金属腔体为密闭真空环境，其中具有晶圆放置盘、晶圆及金属靶板，其中，金属靶板作为阴 极，由需要溅射的金属材料制成，比如铝，放置在晶圆放置盘上的晶圆作为阳极。金属靶板 和晶圆平行相对。晶圆位于金属腔体底部，金属靶板位于金属顶部，在溅射时，从金属腔体 的进气孔中通入惰性气体，比如氩气，从惰性气体辉光放电产生的高密度阳离子被吸引到 阴极上，高速轰击金属靶板，撞击出金属离子后沉积到作为阳极的晶圆表面上，从而在晶圆 表面上沉积得到铝金属沉积层，将尾气从排气口排出。其中，晶圆固定在晶圆放置盘上，晶圆放置盘通过均勻分布的若干个晶圆夹钳固 定晶圆。如图2所示，图2为晶圆放置盘的俯视图，从图中可以看出，晶圆放置盘为一个圆 环结构，在圆环内侧，均勻分布了六个夹钳，用于将晶圆固定在该晶圆放置盘中。夹钳的剖面结构图如图3所示，夹钳的外侧平滑连接圆环，内侧具有凹槽，用于卡 住晶圆。采用图1所示的结构在晶圆上沉积铝金属层时，金属也会沉积到晶圆放置盘上 (包括夹钳)，在沉积过程中随着温度的不断增高，沉积在晶圆放置盘上的金属有时会融 化，晶圆放置盘上靠近晶圆边缘的融化金属(包括夹钳)顺着流到晶圆边缘上，将晶圆粘附 到晶圆放置盘上，导致晶圆的损坏。如图4所示，图4为现有技术的晶圆放置盘的剖视图，在晶圆沉积金属过程中，沉 积在晶圆放置盘靠近晶圆边缘的金属融化后顺着流到晶圆边缘上，将晶圆粘附到晶圆放置 盘上，导致了晶圆的损坏。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种在铝金属沉积过程中的晶圆放置盘，该晶圆放置 盘能够在沉积铝金属层的过程中防止晶圆被粘附损坏。为达到上述目的，本技术实施的技术方案具体是这样实现的一种在铝金属沉积过程中的晶圆放置盘，该晶圆放置盘置于金属腔内的底部，为 圆环结构，在圆弧内侧分布多个用于固定晶圆的夹钳，在圆环结构的表面，具有以晶圆放置 盘的圆心为圆心，半径依次增大的多个圆环凹槽。所述多个圆环凹槽为4 6个。所述多个圆环凹槽均勻分布在晶圆放置盘上或不均勻分布在晶圆放置盘上。所述圆环凹槽的深度不大于30厘米，宽度不大于30厘米。由上述技术方案可见，本技术提供的晶圆放置盘在圆环结构的表面采用多个 凹槽的结构，该多个凹槽的结构可以多存集所沉积的金属，在沉积的铝融化后，由于有沟槽 的存在，不会顺着流到晶圆边缘上，将晶圆粘附到晶圆放置盘，不会造成晶圆的损坏。因此， 本技术提供的晶圆放置盘在沉积铝金属层的过程中防止了晶圆被粘附损坏。附图说明图1为现有技术所采用的用于铝金属沉积的金属腔体剖面结构图；图2为现有技术的晶圆放置盘的俯视图；图3为现有技术的晶圆放置盘中的夹钳剖视图；图4为现有技术的晶圆放置盘的剖视图；图5为本技术提供的晶圆放置盘的俯视图；图6为本技术提供的晶圆放置盘的剖视图；附图中各个技术名词涉及的附图标记阴极-101，金属靶板-102，排气口 -103，晶圆-104，晶圆放置盘-105，阳极-106， 圆环-201，夹钳-202，融化的金属-401，和圆环凹槽-501。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下参照附图并举实施 例，对本技术作进一步详细说明。在
技术介绍
可以看出，目前造成晶圆在沉积铝金属层时会损坏的原因就是，沉积 在晶圆放置盘上金属在持续沉积的过程中，有时会融化并沿着靠近晶圆的边缘流到晶圆 上，使得晶圆粘附到晶圆放置盘上。为了解决问题，本技术改进晶圆放置盘的结构，在 晶圆放置盘的圆环表面，制作以晶圆放置盘的圆心为圆心，半径依次增大的多个圆环凹槽， 用于多存集沉积的金属。金属被融化时，由于这多个圆环凹槽的存在，融化的金属也不会顺 着流到晶圆边缘上，将晶圆粘附到晶圆放置盘上，不会造成晶圆的损坏。以下对晶圆放置盘进行详细说明。图5为本技术提供的晶圆放置盘的俯视图，晶圆放置盘为一个圆环结构，在圆环内侧，均勻分布了六个夹钳，用于将晶圆固定 在该晶圆放置盘中。其中，在晶圆放置盘的圆环表面，以晶圆放置盘的圆心为圆心，半径依 次增大的多个圆环凹槽。在这里，圆环凹槽的数量不作限制，可以为4 6个。这多个圆环 凹槽可以均勻分布在晶圆放置盘上，也可以不均勻分布。每个圆环凹槽的深度不大于30厘 米，宽度不大于30厘米。在该实施例中，夹钳的数量也可以不为6个，可以为3个或4个，也可以不均勻分 布在圆环内侧，只要可以夹住晶圆即可。图6为本技术提供的晶圆放置盘的剖视图，从图中可以看出，在夹钳的外侧 平滑连接晶圆放置盘的圆环，在圆环表面具有圆环凹槽，夹钳内侧具有凹槽，卡住晶圆。其 中，圆环凹槽在沉积金属衬垫过程中，将沉积在晶圆放置盘上的金属存集，不会导致在融化时顺着靠近晶圆边缘的位置处流到晶圆边缘上，粘住晶圆。在本技术中，所沉积的金属沉积可以为铝沉积，也可以为其他金属沉积。在本技术中，晶圆放置盘置于金属腔内的底部，也就是图1所示的金属腔内 的底部。以上举较佳实施例，对本技术的目的、技术方案和优点进行了进一步详细说 明，所应理解的是，以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新 型，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在 本技术的保护范围之内。权利要求一种在铝金属沉积过程中的晶圆放置盘，该晶圆放置盘置于金属腔内的底部，为圆环结构，在圆弧内侧分布多个用于固定晶圆的夹钳，在圆环结构的表面，具有以晶圆放置盘的圆心为圆心，半径依次增大的多个圆环凹槽。2.如权利要求1所述的晶圆放置盘，其特征在于，所述多个圆环凹槽为4 6个。3.如权利要求1所述的晶圆放置盘，其特征在于，所述多个圆环凹槽均勻分布在晶圆 放置盘上或不均勻分布在晶圆放置盘上。4.如权利要求1所述的晶圆放置盘，其特征在于，所述圆环凹槽的深度不大于30厘米， 宽度不大于30厘米。专利摘要本技术公开了一种在铝金属沉积过程中的晶圆放置盘，该晶圆放置盘置于金属腔内的底部，为圆环结构，在圆弧内侧分布多个用于固定晶圆的夹钳，在圆环结构的表面，具有以晶圆放置盘的圆心为圆心，半径依次增大的多个圆环凹槽。本技术提供的晶圆放置盘能够在沉积金属衬垫的过程中防止晶圆被粘附损坏。文档编号H01L21/687GK201708142SQ20102013812公开日2011年1月12日 申请日期2010年3月15日 优先权日2010年3月15日专利技术者李广宁, 胡旭峰 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在铝金属沉积过程中的晶圆放置盘，该晶圆放置盘置于金属腔内的底部，为圆环结构，在圆弧内侧分布多个用于固定晶圆的夹钳，在圆环结构的表面，具有以晶圆放置盘的圆心为圆心，半径依次增大的多个圆环凹槽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李广宁，胡旭峰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]