系统和方法包括在电压可切换介电材料上沉积一种或多种材料。在特定方面，电压可切换介电材料设置在导电背板上。在一些实施例中，电压可切换介电材料包括具有与在其上的沉积相关联的不同特性电压的区域。一些实施例包括掩模，并且可包括使用可去除接触掩模。特定实施例包括电接枝。一些实施例包括设置在两层之间的中间层。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及载流设备和组件的领域。具体而言，本专利技术涉及适应电压可切换介电材料的载流设备。
技术介绍
载流结构一般通过对基板进行一系列制造步骤构建而成。这些载流结构的示例包括印刷电路板、印刷线路板、背板、以及其他微电子类型的电路。该基板通常是刚性绝缘材料，诸如环氧浸溃玻璃纤维叠层板。诸如铜之类的导电材料被图案化为限定包括接地和电源平面的导体。一些现有技术的载流设备通过在基板上将导电材料分层制造而成。在导电层上沉积、曝光并显影掩模层。所得图案曝光其中要从基板去除导电材料的所选区域。通过蚀刻从所选区域去除导电层。随后去除掩模层，从而将导电材料的经图案化的层留在基板的表面上。在其他现有技术的工艺中，无电工艺用于在基板上沉积导线和焊盘。镀覆电镀液以使导电材料能够在基板的所选部分上粘附到基板，从而形成导线和焊盘的图案。为了使有限覆盖区中的可用电路最大化，基板设备有时采用多个基板、或者使用一个基板的两个表面来包括组件和电路。任一情况下的结果都是一个设备中的多个基板表面需要互连以建立不同基板表面上的组件之间的电通信。在一些设备中，设置有导电分层的套管或通路(via)延伸通过基板以使多个表面连接。在多基板设备中，这些通路延伸通过至少一个基板以使该基板的一个表面互连到另一基板的表面。以此方式，在相同基板的两个表面上、或不同基板的表面上的电组件和电路之间建立电链路。在一些工艺中，通路表面通过首先沉积导电材料的籽晶层、之后是电解工艺来镀覆。在其他工艺中，粘合剂用于将导电材料附着到通路表面。在这些设备中，通路和导电材料之间的接合在本质上是机械的。以下称为电压可切换介电材料的特定材料已在现有技术的设备中用来提供过电压保护。由于其电阻性质，这些材料用于从例如雷电、静电放电、或功率浪涌耗散电压浪涌。因此，在诸如印刷电路板之类的一些设备中包括电压可切换介电材料。在这些设备中，电压可切换介电材料插在导电元件和基板之间来提供过电压保护。概述各个实施例包括一种用于构建载流结构(current-carrying formation)的方法。若干实施例致力于在电压可切换介电材料(VSDM)上或用其来构建结构。VSDM可包括特性电压，其幅值限定在其以下VSDM基本电绝缘、而在其以上VSDM基本导电的阈值。一种方法可包括设置导电背板；在导电背板的至少一部分上形成VSDM层；以及在电压可切换介电材料的至少一部分上沉积导电材料。导电背板可包括金属、导电化合物、聚合物和/或其他材料。在一些情况下，导电背板可包括基板。在特定实施例中，导电背板、也可用作基板。在一些情况下，基板可在沉积之后去除。 沉积可包括电化学沉积，并且可包括产生比与VDSM相关联的特性电压大的一电压，从而导致电流流动、以及导致沉积和/或蚀刻发生。在特定实施例中，封装(例如，聚合物)可附着到VSDM和/或相关联的载流结构。在一些情况下，组件(例如，基板)可在附着封装之后去除。可通过设置在期望其可分离性的两种材料之间的减聚层来便于去除。在一些实施例中，一种方法包括设置VSDM ;在VSDM的至少一部分上沉积中间层；以及在中间层的至少一部分上沉积材料。中间层可改进粘性、机械性质、电性质等。中间层可供受控释放或减聚之用。中间层可包括扩散阻挡层。在一些情况下，中间层设置在VSDM上，并且附加材料(例如，聚合物和/或电导体)沉积在中间层的至少一部分上。绝缘材料(例如，聚合物)可沉积在中间层上。导体可沉积在中间层上。中间层可使用电接枝(electrografting)来形成。 在一些实施例中，一种方法包括设置具有VSDM的基板；以及在VSDM的至少一部分上沉积载流材料。封装可附着到VSDM的至少一部分和/或载流结构的至少一部分。封装可包括聚合物。封装和/或VSDM可包括可填充的一个或多个通路。特定实施例包括穿过封装的多个电连接。在一些实施例中，一种方法包括向VSDM的表面施加接触掩模。接触掩模可去除地附着，从而其密封VSDM的第一部分或以其他方式阻止该第一部分沉积，并且曝光VSDM的第二部分用于沉积材料(例如，载流结构)。接触掩模可包括接触VSDM的表面、并且划界或限定一个或多个部分的绝缘脚。接触掩模还可包括通常通过绝缘脚与该表面分离开的电极。在一些实施例中，可将VSDM和接触掩模的夹层(sandwich)浸入(或以其他方式暴露给)提供与要沉积的期望材料相关联的离子源的溶液中。可产生比VSDM的特性电压大的一电压，这导致期望材料沉积在VSDM的露出部分中或沉积在该露出部分上。在一些实施例中，通常可使用掩模以从VSDM的特定区域去除导体的方式蚀刻沉积在VSDM上的导体。根据特定实施例，未蚀刻的区域可形成载流结构。VSDM可包括具有不同特性电压的区域。特定实施例包括具有第一区域和第二区域的VSDM。第一区域可具有第一特性电压，而第二区域可具有第二特性电压。根据不同的处理条件，材料可沉积在第一区域和第二区域中的任一个、或者两个区域上。在一些情况下，在两个区域上沉积之后可以是从一个区域而非另一区域优选蚀刻所沉积的材料。在一些实施例中，载流结构在彼此独立的不同区域上形成。本文中所述的任何结构限制可与所提供的另一结构限制结合，只要它们并不相互排斥。本文中所述的任何步骤可与所提供的另一步骤结合，只要它们并不相互排斥。附图简述图I示出根据本专利技术一个实施例的包括电压可切换介电材料的单面基板设备。图2示出根据本专利技术一个实施例的电压可切换介电材料的电阻特性。图3A-3F示出用于形成图I的设备的流程工艺。图3A示出用于形成电压可切换介电材料的基板的步骤。图3B示出在基板上沉积非导电层的步骤。图3C示出在基板上图案化非导电层的步骤。图3D示出使用非导电层的图案形成导电层的步骤。图3E示出从基板去除非导电层的步骤。图3F示出在基板上抛光导电层的步骤。图4详细地示出根据本专利技术一个实施例的用于在由电压可切换介电材料构成的基板上电镀载流结构的工艺。图5示出根据本专利技术一个实施例的由电压可切换介电材料构成且包括互连基板两侧面上的载流结构的通路的双面基板设备。图6示出用于形成图5的设备的流程工艺。图7示出根据本专利技术一个实施例的包括由电压可切换介电材料构成的基板的多层基板设备。图8示出用于形成图7的多基板设备的工艺。图9示出根据本专利技术一个实施例的脉冲镀覆工艺的示例性波形。附图说明图10示出根据本专利技术一个实施例的反向脉冲镀覆工艺的示例性波形。图11示出根据本专利技术一个实施例的连接器的内部结构的区段，该区段具有露出的引脚插座。图12示出根据本专利技术一个实施例的图11的区段的其上设置有掩模的部分的立体图。图13示出与中间层相关联的特定实施例。图14示出结合导电背板的示例性方法和结构。图15是根据一些实施例的附着封装的示意图。图16A和16B (分别)示出根据特定实施例的可去除接触掩模的截面图和立体图。图17示出根据特定实施例的用以形成载流结构的载流材料沉积。图18示出根据特定实施例的使用蚀刻工艺构建的载流结构。图19示出根据特定实施例的具有不同特性电压的区域的电压可切换介电材料(VSDM) 1910。图20A-C示出根据特定实施例的一个或多个载流结构的沉积。详细描述本专利技术的各个实施例使用一类材料(在本文中称为电压可切换介电材料)在结构本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.10.29 US 12/608,2971.一种用于构建载流结构的方法，所述方法包括 设置导电背板； 在所述导电背板的至少一部分上形成电压可切换介电材料层；以及 在所述电压可切换介电材料的至少一部分上沉积导电材料。2.如权利要求I所述的方法，其特征在于，所述背板包括金属。3.如权利要求I所述的方法，其特征在于，所述背板包括Cu、Al、Ti、Ag、Au、以及Pt中的任ー种。4.如权利要求I所述的方法，其特征在于，所述背板包括导电聚合物。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述导电聚合物包括聚苯胺和聚噻吩中的任ー种。6.如权利要求I所述的方法，其特征在于，所述设置包括在基板上设置导电背板。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括在沉积所述导电材料之后去除所述基板。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述去除包括溶解所述基板。9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述去除包括熔化所述基板。10.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述设置包括将减聚层结合在所述基板和所述导电背板之间。11.如权利要求I所述的方法，其特征在于，所述导电材料包括Cu、Al、Ag、Ti、Au、以及Pt中的任ー种。12.如权利要求I所述的方法，其特征在于，所述设置包括在所述导电背板上设置减聚层，并且在所述减聚层的至少一部分上形成所述电压可切换介电材料的至少一部分。13.如权利要求I所述的方法，其特征在于，还包括在沉积所述导电材料之后去除所述导电背板。14.如权利要求I所述的方法，其特征在于，所述沉积包括电化学沉积。15.如权利要求I所述的方法，其特征在于，所述沉积包括周期性电压。16.如权利要求I所述的方法，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：L·科索沃斯基，
申请(专利权)人：肖克科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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