氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种场效应晶体管，其具有半导体层，所述半导体层包含以下述（１）～（３）式的原子比包含Ｉｎ元素及Ｚｎ元素、和选自Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｂ、Ｓｃ、Ｙ及镧系元素类中的一种以上元素Ｘ的复合氧化物。Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．２～０．８?（１）；Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）＝０．２９～０．９９?（２）；Ｚｎ／（Ｘ＋Ｚｎ）＝０．２９～０．９９?（３）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及将氧化物半导体膜用于沟道层的场效应晶体管及其制造方法。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)等场效应晶体管作为半导体存储集成电路的单位电子元件、高 频信号放大元件、液晶驱动用元件等被广泛应用，现在，是最多且实用的电子器件。其中，近年来伴随显示装置以惊人的速度发展，在液晶显示装置(LCD)、场致发光 显示装置(EL)、场致发射显示装置O^ED)等各种显示装置中，作为在显示元件上施加驱动 电压而驱动显示装置的开关元件，大多使用TFT。作为场效应晶体管的主要部件即半导体层(沟道层)的材料，硅半导体化合物被 最广泛应用。一般而言，在高速动作所必要的高频放大元件及集成电路用元件等中，使用 硅单晶。另一方面，在液晶驱动用元件等中，从大面积化的要求考虑，使用非晶性硅半导体 (非晶硅)。例如，作为TFT，有在玻璃等基板上层叠栅电极、栅极绝缘层、氢化非晶硅(a-Si H)等半导体层、源极及漏电极的逆交错结构。该TFT以图象传感器为主，在大面积器件的领 域，作为以有源矩阵型的液晶显示装置为代表的平板显示装置等驱动元件被应用。在这些 用途中，即使应用了现有的非晶硅元件也要求伴随高功能化的动作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管，其中，具有半导体层，所述半导体层包含：以下述（１）～（３）的原子比含有Ｉｎ元素及Ｚｎ元素、和选自Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｂ、Ｓｃ、Ｙ及镧系元素类中的一种以上元素Ｘ的复合氧化物，所述镧系元素类为Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ，Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．２～０．８（１）Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）＝０．２９～０．９９（２）Ｚｎ／（Ｘ＋Ｚｎ）＝０．２９～０．９９（３）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：矢野公规，川岛浩和，井上一吉，笘井重和，笠见雅司，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]