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本发明提供一种场效应晶体管，其具有半导体层，所述半导体层包含以下述（１）～（３）式的原子比包含Ｉｎ元素及Ｚｎ元素、和选自Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｂ、Ｓｃ、Ｙ及镧系元素类中的...
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