使用了氧化物半导体的场效应晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种场效应晶体管，其在基板上至少具有半导体层、半导体层的保护层、源电极、漏电极、栅绝缘膜和栅电极，源电极和漏电极借助半导体层相连，在栅电极和半导体层之间具有栅绝缘膜，在半导体层的至少１面侧具有保护层，半导体层由以下述（１）～（３）的原子比含有Ｉｎ（铟）元素、Ｚｎ（锌）元素及Ｇａ（镓）元素的复合氧化物构成，Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．２～０．８（１）、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．５９～０．９９（２）、Ｚｎ／（Ｇａ＋Ｚｎ）＝０．２９～０．９９（３）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在沟道层使用了氧化物半导体膜的场效应晶体管及其制造方法。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)等场效应晶体管作为半导体存储集成电路的单位电子元件、高 频率信号增幅元件、液晶驱动用元件等被广泛使用，目前是应用最多的电子设备。其中，随着近年来显示装置的惊人发展，在液晶显示装置(IXD)、场致发光显示装 置(EL)、场致发射显示器显示器(FED)等各种显示装置中，作为向显示元件施加驱动电压 驱动显示装置的转换元件多使用TFT。作为场效应晶体管的主要部件的半导体层(沟道层)材料，最广泛使用的是硅半 导体化合物。一般来说，在需要高速动作的高频率增幅元件或集成电路用元件等中使用硅 单晶。另一方面，液晶驱动用元件等中由于大面积化的要求使用非晶性硅半导体(无定形 硅)。例如，TFT有在玻璃等基板上层叠了栅电极、栅绝缘层、氢化无定形硅(a-Si:H)等 半导体层、源电极及漏电极的逆错置结构者。该TFT以图象传感器为首，在大面积设备的领 域中作为有源矩阵型液晶显示器所代表的平板显示器等的驱动元件使用。在这些用途中， 即便是以往使用了无定形硅者，伴随着高功能化，也要求动作的高速化。现在，作为驱本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管，其在基板上至少具有半导体层、半导体层的保护层、源电极、漏电极、栅绝缘膜和栅电极，所述源电极和漏电极借助半导体层相连，在所述栅电极与所述半导体层之间具有栅绝缘膜，在所述半导体层的至少一面侧具有保护层，所述半导体层由以下述（１）～（３）的原子比含有Ｉｎ元素、Ｚｎ元素及Ｇａ元素的复合氧化物构成，Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．２～０．８（１）Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．５９～０．９９（２）Ｚｎ／（Ｇａ＋Ｚｎ）＝０．２９～０．９９（３）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：矢野公规，川岛浩和，井上一吉，笘井重和，笠见雅司，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]