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使用了氧化物半导体的场效应晶体管及其制造方法技术
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下载使用了氧化物半导体的场效应晶体管及其制造方法的技术资料
文档序号:5456317
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本发明提供一种场效应晶体管,其在基板上至少具有半导体层、半导体层的保护层、源电极、漏电极、栅绝缘膜和栅电极,源电极和漏电极借助半导体层相连,在栅电极和半导体层之间具有栅绝缘膜,在半导体层的至少1面侧具有保护层,半导体层由以下述(1)~(3)...
该专利属于出光兴产株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过出光兴产株式会社授权不得商用。
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