【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术，涉及半导体装置及其制造方法，以及具有这个半导体装置的显示装置。
技术介绍
做为半导体装置，薄膜晶体管(TFT-Thin-Film Transistor)已为所 知，这个薄膜晶体管(TFT)适合于驱动液晶显示装置或有机EL显示 装置等的显示装置而为使用。 特別是，沟道区域只由非晶硅(a-Si)等的非晶膜形成的非晶硅薄 膜晶体管(a-SiTFT)使用的最为普遍。在此，所谓的沟道高型薄膜晶 体管(以前结构1)，参照放大剖面图的附图说明图17说明。薄膜晶体管(TFT) 100,具有形成在基板101上的'栅电极102、覆盖栅电极102的栅绝 缘膜103、形成在栅绝缘膜103上构成沟道区域的非晶硅层104、 在非晶硅层104上图案形成的n+硅层的源极区域105及漏极区域 106、覆盖源极区域105的源电极107、和覆盖漏极区域106的漏电 极108。 然而，这个以前的结构1的非晶硅薄膜晶体管，由于沟道区域 为非晶膜，移动度为0.2 0.5cmVVs，导通性较差。相反，通过将栅 极绝缘膜用硅氮化膜形成，可以得到与沟道区域得非晶硅层104之 间的良好界面特性，提高...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于： 包括： 具有沟道区域的半导体层、具有源极区域及漏极区域的杂质层、和隔着栅极绝缘膜与上述半导体层相对设置的栅电极， 上述半导体层，具有至少叠层了第一非晶膜、和包含晶相的结晶膜的叠层结构， 上述第一非晶膜，直接叠层在上述栅极绝缘膜上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2006.9.8 JP 244285/20061. 一种半导体装置，其特征在于包括具有沟道区域的半导体层、具有源极区域及漏极区域的杂质层、和隔着栅极绝缘膜与上述半导体层相对设置的栅电极，上述半导体层，具有至少叠层了第一非晶膜、和包含晶相的结晶膜的叠层结构，上述第一非晶膜，直接叠层在上述栅极绝缘膜上。2. 根据权利要求l所述的半导体装置，其特征在于上述结晶膜和上述杂质层之间，至少形成了一层第二非晶膜。3. 根据权利要求l所述的半导体装置，其特征在于上述栅电极形成在绝缘性基板上，具有在上述绝缘性基板上形成为上述半导体层覆盖上述栅电极及上述栅极绝缘膜的至少一部分的底栅结构。4. 根据权利要求l所述的半导体装置，其特征在于上述半导体层由硅构成。5. 根据权利要求l所迷的半导体装置，其特征在于上述结晶膜，是由相对于该结晶膜表面垂直延伸的柱状结晶形成的微结晶硅构成的。6. 根据权利要求5所迷的半导体装置，其特征在于上述柱状结晶的断面直径，在10nm以上且在40nm以下。7. 根据权利要求l所迷的半导体装置，其特征在于上述第一非晶层，由非晶硅构成。8. 根据权利要求l所述的半导体装置，其特征在于上述栅极绝缘膜，由硅氮化膜构成。9. 根椐权利要求l所述的半导体装置，其特征在于上述第一非晶膜的膜厚，在5nm以上且在30nrn以下。10. 根据权利要求l所述的半导体装置，其特征在于上述杂质层，具有至少叠层了非晶的第一层、和包含晶相的第二层的叠层结构。11. 根据权利要求l所迷的半导体装置，其特征在于上述杂质层，具有至少叠层了低浓度杂质层、和高浓度杂质层的叠层结构。12. 根据权利要求1所述的半导体装置i其特征在于上述第一非晶膜，由傅立叶变换红外光谱法检测具有2000cm-1的吸收峰值和2100cm的吸收峰值，2000cm的吸收峰值的比率为75°/。以上的光谱。13. —种显示装置，包括形成了多个薄膜晶体管的第一基板、和隔着显示媒体与上述第一基板相对设置的第二基板，其特征在于上述薄膜晶体管包括具有沟道区域的半导体层、具有源极区域及漏极区域的杂质层、和隔着栅极绝缘膜与上述半导体层相对设置的栅电极，上述半导体层，具有至少叠层了第一非晶膜、和包含晶相的结晶膜的叠层结构，上述第一非晶膜，直接叠层在上述柵极绝缘膜上。14. 根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于上述结晶膜和上述杂质层之间，至少形成了一层第二非晶膜。15. 根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于上迷栅电极形成在绝缘性基板上，具有上述绝缘性基板上形成上述半导体层覆盖上述栅电极及上述栅极绝缘膜的至少一部分的底栅结构。16. 根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于上述半导体层由硅构成。17. 根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于上述结晶膜，是由相对于该结晶膜表面垂直延伸的柱状结晶形成的微结晶硅构成的。18. 根据权利要求17所述的显示装置，其特征在于上迷柱状结晶的断面直径，在10nm以上且在40nm以下。19. 根据权利要求13所述的显示装置，其特征在...
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