高频等离子ＣＶＤ装置与高频等离子ＣＶＤ法以及半导体薄膜制造法制造方法及图纸

与构成串联型薄膜硅太阳能电池的制造用的ＶＨＦ等离子ＣＶＤ装置的等离子产生源有关，其目的在于提供能够抑制驻波的影响以及在一对电极之间以外产生的有害等离子的产生、并且抑制供给电力的在这一对电极之间以外的消耗的大面积.均匀的ＶＨＦ等离子ＣＶＤ装置以及方法。该等离子ＣＶＤ装置以及方法，其特征在于：具有下述结构，将配置于电极上的互相相对的位置的第１以及第２给电点之间的距离设定为使用电力的波长的二分之一的整数倍，通过供给从２台能够脉冲调制的相位可变２输出的高频电源输出的在时间上分离的脉冲电力，在时间上交替产生波腹的位置与该第１以及第２给电点的位置一致的第１驻波和波节的位置与该第１以及第２给电点的位置一致的第２驻波。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及集成化串联型薄膜太阳能电池组件的制造中所使用的高频等离子CVD 装置与高频等离子CVD法以及半导体薄膜制造法。特别涉及频率为30MHz 300MHz (VHF 频带)的VHF等离子CVD装置以及VHF等离子CVD法。另外，涉及应用了微晶硅膜以及准晶质硅膜的各种设备的制造中所使用的高频等 离子CVD装置以及高频等离子CVD法。
技术介绍
层叠有多个具有光电转换功能的半导体光电转换单元的多接合型光电转换元件 在例如太阳能电池将波长吸收带域不同的顶部单电池与底部单电池组合在提高发电转换 效率上非常有效，这一点众所周知。其在透明中间层具有入射光能的向各接合单元的光谱分配的功能，例如反射短波 长的光、使长波长的光透过的功能，由此谋求进一步的发电转换效率的提高。具体地说，集成化串联型薄膜硅太阳能电池通过在透光性的基板(例如玻璃)上 依次层叠透明电极层、非晶质硅光电转换单元层、具有反射短波长的光而使长波长的光透 过的功能的中间层、结晶质硅光电转换单元层以及背面电极层而形成。上述非晶质硅光电转换单元层由ρ型半导体层、i型半导体层以及η型半导体层 等构成，厚度在Pin层整体为大约0. 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频等离子ＣＶＤ装置，该高频等离子ＣＶＤ装置利用等离子在配置于真空容器的基板的表面上形成薄膜，其特征在于：具有高频电力供给单元，在所述高频电力供给单元中，被配置于电极的端部的第１给电点与被配置于处于电力波的传播上与该第１给电点为相对点关系的位置的第２给电点的间隔被设定为考虑了波长缩短率的使用电力的波长λ的二分之一的整数ｎ倍，即ｎλ／２，并且在时间上交替产生波腹的位置与该第１以及第２给电点的位置一致的第１驻波和波节的位置与该第１以及第２给电点的位置一致的第２驻波。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：村田正义，
申请(专利权)人：村田正义，
类型：发明
国别省市：JP[日本]