半导体发光器件及其制造方法技术

提供一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的有源层；在所述有源层上的第二导电半导体层；在所述第二导电半导体层上的第二电极部分；在所述第二电极部分上的绝缘层；和在所述绝缘层上的第一电极部分，所述第一电极部分的一部分与所述第一导电半导体层电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术实施方案涉及。
技术介绍
第III-V族氮化物半导体已经广泛用于光学器件如蓝色和绿色发光二极管 (LED)、高速开关装置如金属半导体场效应晶体管(MOSFET)和异质结型场效应晶体管 (HEMT)，以及照明设备或显示设备的光源等。特别地，使用第III族氮化物半导体的发光器 件具有对应于可见光到紫外线范围的直接过渡型带隙以实现高效发光。氮化物半导体主要用于LED或激光二极管(LD)。已经持续进行研究来改善制造工 艺或发光效率。
技术实现思路
技术问题实施方案提供一种，所述半导体发光器件包括在发 光结构上以通路形式与第一导电半导体层连接的第一电极部分。实施方案提供一种，其中在发光结构上，第二电极 部分与第一电极部分的部分图案在空间上交叠。实施方案提供一种能够改善第一和第二电极部分的图案自由度的半导体发光器 件及其制造方法。技术方案一个实施方案提供一种半导体发光器件，其包括第一导电半导体层；在所述第 一导电半导体层上的有源层；在所述有源层上的第二导电半导体层；在所述第二导电半导 体层上的第二电极部分；在所述第二电极部分上的绝缘层；和在所述绝缘层上的第一电极 部分，所述第一电极部分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，其包括：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的有源层；在所述有源层上的第二导电半导体层；在所述第二导电半导体层上的第二电极部分；在所述第二电极部分上的绝缘层；和在所述绝缘层上的第一电极部分，所述第一电极部分的一部分与所述第一导电半导体层电连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩载天，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]