半导体用膜、半导体用膜的制造方法及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体用膜，按照粘合层、第一粘结层、第二粘结层的顺序进行贴合而成，上述第二粘结层的外周部超过上述第一粘结层的外周边缘，该半导体用膜是用于在上述粘合层的与第一粘结层相反侧的表面上层叠半导体晶片并且在上述第二粘结层的上述外周部上贴合晶片环切断该半导体用晶片时的半导体用膜，其特征在于，上述第一粘结层相对于上述粘合层的粘合力Ａ↓［１］（ｃＮ／２５ｍｍ）比上述第二粘结层相对于上述晶片环的粘合力Ａ↓［２］（ｃＮ／２５ｍｍ）低。本发明专利技术的半导体装置，其特征在于，是使用上述记载的半导体用膜制造而成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体用膜、半导体用膜的制造方法及半导体装置。
技术介绍
近年来，随着电子机器的高性能化及移动用途的扩大，加强了对半导体装置的高密度化、高集成化的要求，从而不断推进IC封装件的大容量高密度化。作为该半导体装置的制造方法，例如，在硅、钾、砷等构成的半导体晶片上贴合粘结片，用晶片环固定半导体晶片的周围并且在切割(Dicing)工 序将上述半导体晶片切割分离成各个半导体元件(单片化)，然后，在扩展 (Expanding)工序，进行单片化的半导体元件的拾取，接下来，移送到将该 半导体元件搭载在金属引线框或基板(例如，巻带基板(Tape Substrate)、 有机硬质基板等)上的芯片接合工序(Die Bonding)。拾取到的半导体元件，在芯片接合工序中，通过液状环氧粘结剂等的液 状芯片粘结(Die attach)材料粘合在引线框或基板上，从而制造半导体装置。为了适用半导体元件的多级式叠合需要推进半导体晶片的薄型化，但是， 难以使用现有技术的芯片接合材料树脂膏进行涂布适量的粘合剂。即，有时 树脂膏会从半导体元件溢出或者树脂膏固化后半导体元件会发生弯曲，从而 在组装进封装件时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体用膜，按照粘合层、第一粘结层、第二粘结层的顺序进行贴合而成，上述第二粘结层的外周部超过上述第一粘结层的外周边缘，该半导体用膜是用于在上述粘合层的与第一粘结层相反侧的表面上层叠半导体晶片并且在上述第二粘结层的上述外周部上贴合晶片环切断该半导体晶片时的半导体用膜，其特征在于，　上述第一粘结层相对于上述粘合层的粘合力Ａ↓［１］（ｃＮ／２５ｍｍ）比上述第二粘结层相对于上述晶片环的粘合力Ａ↓［２］（ｃＮ／２５ｍｍ）低。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-10-6 275243/2006;JP 2007-9-11 234869/20071. 一种半导体用膜，按照粘合层、第一粘结层、第二粘结层的顺序进行贴合而成，上述第二粘结层的外周部超过上述第一粘结层的外周边缘，该半导体用膜是用于在上述粘合层的与第一粘结层相反侧的表面上层叠半导体晶片并且在上述第二粘结层的上述外周部上贴合晶片环切断该半导体晶片时的半导体用膜，其特征在于，上述第一粘结层相对于上述粘合层的粘合力A1(cN/25mm)比上述第二粘结层相对于上述晶片环的粘合力A2(cN/25mm)低。2. 如权利要求1所述的半导体用膜，其中，粘合力A,与粘合力A2的比 A2/AJ 1.2 100。3. 如权利要求1所述的半导体用膜，其中，上述粘合力A,为 10 80cN/25匪。4. 如权利要求1所述的半导体用膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：平野孝，佐佐木晓嗣，织田直哉，
申请(专利权)人：住友电木株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]