具有穿导孔的半导体装置及具有穿导孔的半导体装置的封装结构及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术关于一种具有穿导孔的半导体装置及具有穿导孔的半导体装置的封装结构及其制造方法。该具有穿导孔的半导体装置包括一硅基材及至少一穿导孔。该硅基材的厚度为７５至１５０微米（μｍ）。该穿导孔包括：一第一阻绝层及一导电金属，该第一阻绝层的厚度为５至１２微米（μｍ）。本发明专利技术的半导体装置及封装结构可确保该穿导孔与其它组件的电性连接，且可确保该硅基材与其它半导体装置的电性连接，以提高产品的良率。再者，利用本发明专利技术的制造方法，在进行回焊工艺时，不会造成该硅基材的翘曲、位置偏移等现象，故可仅进行一次回焊工艺，可简化后续的工艺，并降低制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种半导体装置及具有半导体装置的封装结构及其制造方法，详言 之，关于一种具有穿导孔的半导体装置及具有穿导孔的半导体装置的封装结构及其制造方 法。
技术介绍
参考图1，显示已知具有穿导孔的半导体装置的剖面示意图。该已知具有穿导孔的 半导体装置10包括一硅基材11及至少一穿导孔12。该硅基材11具有一第一表面111、一 第二表面112及至少一穿孔113，该穿孔113贯穿该硅基材11。该穿导孔12贯穿该硅基材 11。该穿导孔12包括一第一阻绝层121、一导电金属122及一第二阻绝层123。该第一阻 绝层121设置于该穿孔113的侧壁，且定义出一中心槽124。该导电金属122设置于该中心 槽124内，该导电金属122为一环状侧部并定义出一第二中心槽125，该第二阻绝层123设 置于该第二中心槽125内。该半导体装置10另包括一保护层13及一重布层126，设置于该第一表面111上。 该一保护层13具有一开口 131以暴露出该穿导孔12，该重布层1 设置于该开口 131内并 覆盖部分该第一阻绝层121及部分该保护层13 ；该重布层126电性连接至该穿导孔12以 及其它半导体装置(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有穿导孔的半导体装置，包括：一硅基材，具有一第一表面、一第二表面及至少一穿孔，该穿孔贯穿该硅基材，该硅基材的厚度为７５至１５０微米；及至少一穿导孔，贯穿该硅基材，该穿导孔包括：一第一阻绝层，设置于该穿孔的侧壁，且定义出一第一中心槽，该第一阻绝层的厚度为５至１２微米；及一导电金属，设置于该第一中心槽内。

【技术特征摘要】
1.一种具有穿导孔的半导体装置，包括一硅基材，具有一第一表面、一第二表面及至少一穿孔，该穿孔贯穿该硅基材，该硅基 材的厚度为75至150微米；及至少一穿导孔，贯穿该硅基材，该穿导孔包括一第一阻绝层，设置于该穿孔的侧壁，且定义出一第一中心槽，该第一阻绝层的厚度为 5至12微米；及一导电金属，设置于该第一中心槽内。2.如权利要求1的半导体装置，其中该穿导孔的径向宽度为25至50微米。3.如权利要求1的半导体装置，其中该导电金属为一环状结构，该环状结构定义出一 第二中心槽，且该穿导孔另包括一第二阻绝层，设置于该第二中心槽内。4.如权利要求1的半导体装置，其中该导电金属的厚度大于等于6微米。5.如权利要求1的半导体装置，另包括一第一保护层设置于该第一表面，其中该第一 保护层具有一第一开口。6.如权利要求5的半导体装置，另包括一第一重布层，其中该第一重布层设置于该第 一开口并与该导电金属电性连接。7.如权利要求6的半导体装置，其中该第一重布层的厚度大于等于4.5微米。8.一种具有穿导孔的半导体装置的封装结构，包括 一半导体装置，包括；一硅基材，具有一第一表面、一第二表面及至少一穿孔，该穿孔贯穿该硅基材，该硅基 材的厚度为75至150微米；及至少一穿导孔，贯穿该硅基材，该穿导孔包括一第一阻绝层，设置于该穿孔的侧壁，且定义出一第一中心槽，该第一阻绝层的厚度为 5至12微米；及一导电金属，设置于该第一中心槽内；及至少一芯片，设置于该半导体装置上，电性连接该半导体装置的穿导孔。9.如权利要求8的封装结构，其中该穿导孔的径向宽度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：王盟仁，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]