温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明关于一种具有穿导孔的半导体装置及具有穿导孔的半导体装置的封装结构及其制造方法。该具有穿导孔的半导体装置包括一硅基材及至少一穿导孔。该硅基材的厚度为７５至１５０微米（μｍ）。该穿导孔包括：一第一阻绝层及一导电金属，该第一阻绝层的厚度为５...该专利属于日月光半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过日月光半导体制造股份有限公司授权不得商用。
温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明关于一种具有穿导孔的半导体装置及具有穿导孔的半导体装置的封装结构及其制造方法。该具有穿导孔的半导体装置包括一硅基材及至少一穿导孔。该硅基材的厚度为７５至１５０微米（μｍ）。该穿导孔包括：一第一阻绝层及一导电金属，该第一阻绝层的厚度为５...