像素结构制造技术

本发明专利技术提供一种像素结构，包括：扫描线及数据线，两者彼此交错并且电绝缘；栅极，与扫描线电性连接；源极，至少部分位于栅极上并连接至数据线；漏极，至少部分位于栅极上并与源极对向配置；像素电极，包括一主体部和一延伸部，主体部与漏极电性连接，延伸部与主体部电性相连，且延伸部与栅极及漏极部份重叠。

【技术实现步骤摘要】
像素结构
本专利技术涉及一种液晶显示装置的像素结构，且特别涉及一种可补偿寄生电容且不 降低开口率的像素结构。
技术介绍
一般的薄膜晶体管液晶显示器主要是由一薄膜晶体管阵列基板、一对向基板以及 一夹于前述二基板之间的液晶层所构成。薄膜晶体管阵列基板主要包括多条扫描线、多条 数据线、排列于扫描线与数据线间的薄膜晶体管以及与每一薄膜晶体管对应配置的像素电 极(Pixel Electrode)。而上述的薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极与漏极，其用来作为 液晶显示单元的开关元件。薄膜晶体管阵列基板的制作过程通常包括多次的显影及蚀刻步骤。在一般的 制造技术当中，栅极与扫描线是第一金属层(Metal 1)，源极、漏极与数据线是第二金属 层(Metal 2)。而且，在第一金属层以及第二金属层之间至少具有一层栅极绝缘层。薄膜 晶体管的结构中，栅极与漏极至少有部分重叠，因此栅极与漏极之间通常会存在所谓的栅 极-漏极寄生电容(以下称作Cgd)。就液晶显示器而言，施加在液晶电容Clc上的电压与液晶分子的光穿透率之间 具有特定关系。因此，只要依据所要显示的画面来控制施加在液晶电容Clc上的电压，即 可使显示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，包括：一扫描线及一数据线，彼此交错并且电绝缘；一栅极，与该扫描线电性连接；一源极，至少部分位于该栅极上并连接至该数据线；一漏极，至少部分位于该栅极上并与该源极对向配置；一像素电极，该像素电极包括一主体部和一延伸部，该主体部与该漏极电性连接，该延伸部与该主体部电性相连，且该延伸部与该栅极及该漏极部分重叠。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，包括一扫描线及一数据线，彼此交错并且电绝缘；一栅极，与该扫描线电性连接；一源极，至少部分位于该栅极上并连接至该数据线；一漏极，至少部分位于该栅极上并与该源极对向配置；一像素电极，该像素电极包括一主体部和一延伸部，该主体部与该漏极电性连接，该延 伸部与该主体部电性相连，且该延伸部与该栅极及该漏极部分重叠。2.如权利要求1所述的像素结构，其中该延伸部包括一延伸电极和一延伸分支，该延 伸电极电性连接至该主体部及该延伸分支。3.如权利要求2所述的像素结构，其中该延伸电极与该延伸分支实质上构成一“L”形， 其竖向部分为该延伸电极，横向部分为该延伸分支，且该延伸分支系与该栅极及该漏极部 份重叠。4.如权利要求3所述的像素结构，其中该漏极系为一梳状电极，其包括一梳形部，该梳形部构成为一” 二 ”形，且其更包括一底部和两分支，该两分支与该底部 连接；一连接部，其一端与该底部连接，另一端与该画素电极之该主体部电性连接。5.如权利要求4所述的像素结构，其中该梳形部之分支其中之一与该延伸分支部分重 叠，并小于该延伸分支的宽度。6.如权利要求5所述的像素结构，其中该梳形部之该分支的宽度实质上为该连接部宽 度的1.4倍。7.如权利要求4所述的像素结构，其中该梳形部之分支其中之一与该延伸分支部分重 叠，并大于或等于该延伸分支。8.如权利要求7所述的像素结构，其中该延伸分支的宽度实质上为该...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳智忠，曹岩，
申请(专利权)人：深超光电深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]