【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光刻工艺领域，特别涉及。
技术介绍
通常，在曝光工艺中使用的用于形成光刻图形的曝光掩膜版是通过在石英衬底上 涂覆铬层或者铝层作为遮光层，然后利用离子束刻蚀遮光层以形成相应的遮光图形而得 到。掩膜版的作用是有选择地遮挡照射到基片表面光刻胶膜上的光(例如紫外线、电子束、 X射线等)，以便形成光刻胶图案。掩膜版的质量将直接影响所形成的光刻胶图案的质量， 从而影响器件的性能和成品率。对于石英掩膜版而言，如果不透光的铬留在透光区，就会使 得那些原本应该被曝光的区域无法曝光，从而破坏预先设计好的光刻胶图案。因此，残留在 透光区的铬污染点必须予以清除。修复石英掩膜版上的铬污染点时通常采用激光或离子束 来实现。首先，通过机器将高能光束聚焦在污染点上，使局部微小区域瞬间受热、汽化，从而 除去铬污染物。但在修复时，当铬污染物面积较大时，难以控制修补的强度，且高能光束会 影响污染点下层及其周围的石英，使得修补后的石英透光区域凹凸不平，影响其光滑程度， 此后，在曝光时，当光线透过这些区域时，一部分光会被散射掉，从而降低了该处区域的透 光率，并进一步影响所形成的光刻胶图案的质量。因此，这些有缺陷的石英区域还需要进一 步的检测和维修。对于缺陷石英区域的修复，请参看附图说明图1，图1为修复缺陷石英区域的现有技术示意 图。如图1所示，现有技术通常使用离子束将掩膜版上缺陷石英区域1周围的铬层区域2 再去除一部分，通过扩大石英区域的面积来弥补和提高缺陷石英区域的光线穿透率。但使 用该方法对缺陷石英区域进行修复时，修复的精度不好掌握，不可避免会使该处石英区域 的线宽有较...
【技术保护点】
一种掩膜版缺陷修复方法，掩膜版上形成遮光层图案后，对暴露出的缺陷石英区域进行修复，其特征在于，包括以下步骤：采用激光去除所述缺陷石英区域周围的遮光层，在所述缺陷石英区域的周围形成新暴露出的石英区域；使用聚焦离子束及有机气体，在所述新暴露出的石英区域的部分表面上沉积碳膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：姜巍，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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