阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种阵列基板及其制造方法。该阵列基板包括衬底基板，衬底基板上形成有横纵交叉的数据线和栅极扫描线，围设形成矩阵形式排列的多个像素单元，每个像素单元中设置有第一ＴＦＴ开关和像素电极，衬底基板上还形成有公共电极线，阵列基板还包括与公共电极线相连的放电结构；放电结构包括电容、第二ＴＦＴ开关和放电电源线；电容串联在公共电极线和第二ＴＦＴ开关的第二栅电极之间，第二ＴＦＴ开关的第二源电极连接至公共电极线，第二ＴＦＴ开关的第二漏电极与放电电源线连接。本发明专利技术利用了放电结构中ＴＦＴ开关的工作原理，能够当公共电极线的电压超过一定水平时对公共电极线进行放电，提高了公共电压的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示技术，尤其涉及一种。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor-Liquid CrystalDisplay ；以下 简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主 导地位。TFT-LCD通常包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，其间填充液晶。阵列基板包括 衬底基板，在衬底基板上形成有横纵交叉的数据线和栅极扫描线，围设形成矩阵形式的多 个像素单元。每个像素单元中都设有一个TFT开关和像素电极，TFT开关包括栅电极、有源 层、源电极和漏电极。栅电极与栅极扫描线相连，源电极连接数据线，漏电极连接像素电极。 有源层位于栅电极与源电极和漏电极之间。当栅电极通入高电平的开启电压时，源电极和 漏电极通过有源层导通，将数据线中的数据电压通入像素电极。彩膜基板也包括一衬底基 板，其上设置有黑矩阵层和彩膜树脂层，还设置有公共电极。公共电极与像素电极之间形成 电场，控制液晶的扭转角度，偏转的液晶排列方向发生变化而调制光的强弱，通过彩膜树脂 层则呈现出彩色的画面。为向公共电极通入公共电压，一般在阵列基板上以栅极扫描线的 材料与栅极扫描线同时形成公共电极线，公共电极线在阵列基板的四周通过封框胶或隔垫 物之间的导电材料与公共电极相连，通入公共电压。公共电压、数据电压和栅极扫描线的开 启电压或断开电压的驱动电路均设置在阵列基板的四周。在进行本专利技术技术方案的研究过程中，专利技术人发现现有技术存在如下缺陷在阵 列基板上，数据线、源电极、漏电极、栅电极和公共电极线等导电图案之间存在交叠的区域， 交叠区域处形成了寄生电容。当数据线通入交流的数据电压时，会通过寄生电容耦合至公 共电极线中，对公共电极线中的公共电压造成影响，每条数据线通入数据电压的瞬间都会 导致公共电极线中的公共电压跃升，多条数据线顺序通入数据电压时，则使公共电压连续 跃升，导致公共电极的公共电压整体升高，或者部分区域高于其他区域的公共电压，导致整 个阵列基板中的公共电压不均勻。上述公共电压的变化使得对液晶的旋转角度调制不准 确，影响了画面的显示质量，会出现“crosstalk”和“闪烁(flicker) ”等显示不良现象。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种，以提高公共电极线中公共电压 的稳定性，改善液晶显示器的显示质量。为实现上述目的，本专利技术提供了一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形 成有横纵交叉的数据线和栅极扫描线，围设形成矩阵形式排列的多个像素单元，每个像素 单元中设置有第一 TFT开关和像素电极，所述衬底基板上还形成有公共电极线，其中还包括与所述公共电极线相连的放电结构；所述放电结构包括电容、第二 TFT开关和放电电源线；所述电容串联在所述公共电极线和所述第二 TFT开关的第二栅电极之间，所述第 二 TFT开关的第二源电极连接至所述公共电极线，所述第二 TFT开关的第二漏电极与所述 放电电源线连接。为实现上述目的，本专利技术还提供了一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上 形成栅极扫描线、公共电极线、数据线、第一 TFT开关和像素电极的流程，其中在形成第一 TFT开关的第一栅电极、第一有源层、第一源电极和第一漏电极的同 时，还对应形成第二 TFT开关的第二栅电极、第二有源层、第二源电极和第二漏电极；且还包括形成电容和放电电源线的流程，所述电容串联在所述公共电极线和所述 第二 TFT开关的第二栅电极之间，且所述第二 TFT开关的第二漏电极与所述放电电源线连 接，所述第二 TFT开关、电容和放电电源线构成放电结构。由以上技术方案可知，本专利技术采用设置放电结构连接公共电极线的技术手段，利 用了放电结构中TFT开关的工作原理，能够当公共电极线的电压超过一定水平时对公共电 极线进行放电，避免公共电压升高，提高了公共电压的稳定性，能够改善液晶显示器的显示品质。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的阵列基板的局部俯视结构示意图；图2为一种TFT开关放电特性曲线的示意图；图3为本专利技术实施例一提供的阵列基板中的像素单元和放电结构的电路结构示 意图；图4为本专利技术实施例二提供的阵列基板的局部俯视结构示意图；图5为本专利技术实施例三提供的阵列基板的制造方法的流程图；图6为本专利技术实施例三提供的阵列基板的制造方法所制备的阵列基板局部俯视 结构示意图一；图7为本专利技术实施例三提供的阵列基板的制造方法所制备的阵列基板局部俯视 结构示意图二；图8为本专利技术实施例四提供的阵列基板的制造方法的流程图；图9为本专利技术实施例四提供的阵列基板的制造方法所制备的阵列基板局部俯视结构示意图一；图10为本专利技术实施例四提供的阵列基板的制造方法所制备的阵列基板局部俯视结构示意图二。具体实施例方式下面通过具体实施例并结合附图对本专利技术做进一步的详细描述。实施例一图1为本专利技术实施例一提供的阵列基板的局部俯视结构示意图。该阵列基板包括 衬底基板1，衬底基板1上形成有横纵交叉的数据线2和栅极扫描线3。数据线2和栅极扫 描线3围设形成矩阵形式排列的多个像素单元，图1中所示即为部分像素单元的俯视结构 示意图，各像素单元所在区域为显示区域，显示区域之外的部分为边缘区域。每个像素单元中设置有第一 TFT开关和像素电极4。第一 TFT开关具体包括第一 栅电极6、第一有源层7、第一源电极8和第一漏电极9。第一栅电极6与栅极扫描线3同层 形成，且彼此相连。第一源电极8和第一漏电极9与数据线2同层形成，第一源电极8与数 据线2相连，第一漏电极9与随后形成的像素电极4相连。第一有源层7具体可以包括半 导体层和掺杂半导体层，位于第一源电极8和第一漏电极9相对端部的下方，且位于第一栅 电极6的上方，第一源电极8和第一漏电极9之间的全部掺杂半导体层和部分半导体层被 刻蚀掉，形成TFT沟道。第一 TFT开关的工作过程是在第一栅电极6通入高电平的开启电 压时能够将第一源电极8和第一漏电极9通过第一有源层7导通，在第一栅电极6通入低 电平的断开电压时第一源电极8和第一漏电极9断开。在衬底基板1上还形成有公共电极线5，公共电极线5可以与栅极扫描线3同层形 成，且与栅极扫描线3平行，贯通各行像素单元。公共电极线5的作用是为公共电极提供公 共电压，以便公共电极与像素电极4之间形成能够驱动液晶扭转的电场。另外，像素电极4 与公共电极线5的重叠区域还可以形成存储电容。具体应用中，存储电容也可以通过像素 电极4与相邻像素单元的栅极扫描线3形成重叠区域来提供。在各像素单元中，还可以设 置挡光条24，与公共电极线5—体成型。挡光条24与栅极扫描线3同层形成，且位于数据 线2和像素电极4之间的区域下方，起到遮挡光线的作用。为保持各导电结构之间的相互绝缘，在栅极扫描线3、第一栅电极6和公共电极线 5上覆盖有栅极绝缘层，在第一有源层7、数据线2、第一源电极8和第一漏电极9上覆盖有 钝化层(在俯视图中未示出栅极绝缘层和钝化层)。像素电极4形成在钝化层上，通过钝化 层上的第一过孔12与对应的第一漏电极9相连。在该阵列基板上，还包括与公共电极线5相连的放电结构。放电结构具体包括电 容17、第二 TFT开关和放电电源线18。第二 TFT开关具体包括第二栅电极13、第二有源层 14、第二源电极15和第二漏电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有横纵交叉的数据线和栅极扫描线，围设形成矩阵形式排列的多个像素单元，每个像素单元中设置有第一ＴＦＴ开关和像素电极，所述衬底基板上还形成有公共电极线，其特征在于：还包括与所述公共电极线相连的放电结构；所述放电结构包括电容、第二ＴＦＴ开关和放电电源线；所述电容串联在所述公共电极线和所述第二ＴＦＴ开关的第二栅电极之间，所述第二ＴＦＴ开关的第二源电极连接至所述公共电极线，所述第二ＴＦＴ开关的第二漏电极与所述放电电源线连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王峥，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]