【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种液晶显示设备，更具体地，涉及一种液晶显示(LCD)设备的制造 方法。
技术介绍
本专利技术要求2008年10月22日提交的韩国专利申请No. 2008-0103775的优先权， 此处以引证的方式并入其全部内容，就像在此进行了完整阐述一样。 直到最近，显示设备通常使用阴极射线管(CRT)。目前，做出了很多努力和研究来研发作为CRT的替代品的各种平板显示器，诸如液晶显示(LCD)设备、等离子体显示面板(PDP)、场发射显示器、以及电致发光显示器(ELD)。在这些平板显示器中，LCD设备具有多项优点，例如分辨率高、重量轻、外形薄、体积小，以及低电压电源要求。 总体而言，LCD设备包括彼此隔开并相对的两个基板，液晶材料夹在两个基板之间。两个基板包括彼此相对的电极，使得在电极之间施加的电压感应穿过液晶材料的电场。液晶材料中液晶分子的排列根据感应电场的强度而改变为感应电场的方向，由此改变LCD设备的光透射率。因而，LCD设备通过改变感应电场的强度来显示图像。 图1是示出根据相关技术的LCD设备的阵列基板的示意平面图。 参照图1，阵列基板包括选通线20和数据...
【技术保护点】
一种制造液晶显示设备的方法，该方法包括以下步骤：在基板上形成选通线和栅极，所述栅极位于所述基板的开关区域内；在所述选通线和所述栅极上形成栅绝缘层；形成顺序地定位在所述栅绝缘层上的本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和铜组材料层，所述铜组材料是铜和铜合金中的一种；在所述铜组材料层上形成第一和第二光刻胶图案，其中所述第一光刻胶图案对应于所述开关区域并且包括第一部分到第三部分，其中第三部分位于第一部分和第二部分之间且其厚度小于第二光刻胶图案以及第一部分和第二部分的厚度，并且其中第二光刻胶图案对应于所述基板的数据区域；利用第一和第二光刻胶图案对所述铜组材料层进行构图，以形成第一光刻胶图案下方...
【技术特征摘要】
KR 2008-10-22 10-2008-0103775一种制造液晶显示设备的方法，该方法包括以下步骤在基板上形成选通线和栅极，所述栅极位于所述基板的开关区域内；在所述选通线和所述栅极上形成栅绝缘层；形成顺序地定位在所述栅绝缘层上的本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和铜组材料层，所述铜组材料是铜和铜合金中的一种；在所述铜组材料层上形成第一和第二光刻胶图案，其中所述第一光刻胶图案对应于所述开关区域并且包括第一部分到第三部分，其中第三部分位于第一部分和第二部分之间且其厚度小于第二光刻胶图案以及第一部分和第二部分的厚度，并且其中第二光刻胶图案对应于所述基板的数据区域；利用第一和第二光刻胶图案对所述铜组材料层进行构图，以形成第一光刻胶图案下方的源-漏图案和第二光刻胶图案下方的数据线；对第一和第二光刻胶图案进行灰化以去除第三部分，由此在灰化的第一和第二光刻胶图案之间以及灰化的第一部分和第二部分之间所露出的数据线和源-漏图案的部分形成铜氧化物膜；对所述铜氧化物膜进行脱氧或去除；在对所述铜氧化物膜进行脱氧或去除之后进行等离子体处理，以将所述数据线和所述源-漏图案的露出部分改变为铜化合物；利用铜化合物去除溶液来去除所述铜化合物，以分别形成位于灰化的第一部分和第二部分下方的源极和漏极，其中所述铜化合物去除溶液基本上不与所述铜组材料反应；利用源极和漏极作为蚀刻掩模来对源极和漏极之间的欧姆接触层的一部分进行干刻，所述欧姆接触层通过对所述掺杂非晶硅层构图而形成；以及形成连接到所述漏极的像素电极。2. 根据权利要求1所述的方法，其中所述铜化合物去除溶液包括用去离子水稀释的盐酸。3. 根据权利要求1所述的方法，其中对铜氧化物膜进行脱氧的步骤利用包括氢气、氯化氢气体中的至少之一的脱氧气体来进行。4. 根据权利要求1所述的方法，其中去除铜氧化物膜的步骤通过利用氦气的物理蚀刻或利用乙酸的湿刻来进行。5. 根据权利要求1所述的方法，其中通过对掺杂非晶硅构图以形成所述欧姆接触层的步骤是在对第一和第二光刻胶图案进行灰化之前通过干刻来进行的。6. 根据权利要求5所述的方法，其中所述等离子体处理利用包括溴化氢气体、氯化氢气体、以及氯气中的至少之一的反应气体来进行。7. 根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体处理通过对掺杂非晶硅进行干刻来进行以形成所述欧姆接触层。8. 根据权利要求7所述的方法，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：金江一，梁埈荣，宋桂灿，金素普，康永权，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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