【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法,尤其是一种TFT-IXD阵列 基板及其制造方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid CrystalDisplay,简称 TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点,在当前平板显示器市场中占据了主导地位。 对TFT-LCD来说,阵列基板的结构在很大程度上决定了成品率和价格。TFT-LCD阵列基板的 制造是通过多组沉积和构图工艺形成不同的薄膜图形来完成,每层薄膜沉积后,通过光刻 胶涂覆、掩模、曝光、刻蚀和光刻胶剥离等工艺形成一层薄膜图形,最终由多层薄膜图形构 成TFT-IXD阵列基板。目前,TFT-IXD阵列基板制造中的微粒(Particle)问题一直是影响产品成品率的 重要问题。当环境中的微粒在薄膜沉积过程中落在基板上时,将导致薄膜图形之间出现电 学相连。实际生产表明,微粒造成栅线与数据线短路情况最为严重,发生率在 5%之 间,造成产品返修甚至报废。长期以来,现有技术解决微粒导致栅线与数据线短路问题的主 要手段是环境管理和设备管理,不仅费用高,而且收效不大 ...
【技术保护点】
一种TFT-LCD阵列基板,包括形成在基板上的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管,其特征在于,所述栅线的侧面设置有用于避免栅线与数据线短路的隔离坝。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:彭志龙,董云,刘玉清,
申请(专利权)人:北京京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。