ＦＦＳ型ＴＦＴ－ＬＣＤ阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种ＦＦＳ型ＴＦＴ－ＬＣＤ阵列基板及其制造方法，阵列基板包括形成在基板上并限定了像素区域的栅线、第一数据线和第二数据线，所述像素区域内形成有公共电极、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极和第二像素电极，第一数据线通过第一薄膜晶体管向第一像素电极提供第一数据信号，第二数据线通过第二薄膜晶体管向第二像素电极提供第二数据信号，第一数据信号与第二数据信号相对极性相反，第一像素电极和第二像素电极间隔设置。本发明专利技术一方面提高了电场均一性，具有较高的整体透过率，另一方面提高了水平电场强度，具有较好的像素电极充放电特性，不仅可以提高驱动频率，改善面板透过率，而且有利于降低功耗和消除残像。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法，尤其是一种FFS型 TFT-IXD阵列基板及其制造方法。
技术介绍
近年来，由于薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射、显示分辨率高等特点，已开始大量普 及并成为主流产品。边缘场开关技术(FringeField Switching，简称FFS)是最近几年出现 的可以改善IXD画质的技术之一，能同时实现高穿透性与大视角等要求。目前，现有技术FFS型TFT-IXD阵列基板通常采用单栅、单像素电极的结构，包括 形成在基板上的公共电极、栅线和栅电极，其上形成栅绝缘层，有源层形成在栅绝缘层上并 位于栅电极的上方，源电极的一端位于栅电极的上方，另一端与数据线连接，漏电极的一端 位于栅电极的上方，另一端与像素电极连接，源电极与漏电极之间形成TFT沟道区域；钝化 层形成在上述结构图形上，且在漏电极位置开设有钝化层过孔，条状排列的像素电极形成 在钝化层上，通过钝化层过孔与漏电极连接。工作时，每个像素区域内的像素电极采用了相 同的电压，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＦＦＳ型ＴＦＴ－ＬＣＤ阵列基板，其特征在于，包括形成在基板上并限定了像素区域的栅线、第一数据线和第二数据线，所述像素区域内形成有公共电极、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极和第二像素电极，所述第一数据线通过第一薄膜晶体管向第一像素电极提供第一数据信号，所述第二数据线通过第二薄膜晶体管向第二像素电极提供第二数据信号，所述第一数据信号与第二数据信号相对极性相反，所述第一像素电极和第二像素电极间隔设置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董学，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]