薄膜晶体管阵列及其制造方法技术

一种薄膜晶体管阵列包含基板、薄膜晶体管、第一挡墙、透明电极与色阻；薄膜晶体管位于基板上；第一挡墙位于基板上，并在基板上至少区隔出第一贯穿孔与像素区，第一贯穿孔暴露出薄膜晶体管的漏极；第一挡墙包含面向第一贯穿孔的第一侧壁与面向像素区的第二侧壁，其中第一侧壁的坡度较第二侧壁的坡度缓；透明电极通过第一贯穿孔，电性连接薄膜晶体管的漏极；色阻填充于像素区中。本发明专利技术提供的薄膜晶体管阵列及其制造方法中的挡墙能提供至少两种不同坡度的侧壁，以适应贯穿孔与像素区不同的需要。较佳地，贯穿孔的侧壁坡度较像素区的侧壁坡度缓为范例，以使得色阻不溢流出而改善成品率上的问题，更使得透明电极覆盖于贯穿孔时，不易产生断线的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于液晶显示技术，且特别是有关于一种薄膜晶体管阵列及 其制造方法。
技术介绍
对液晶显示器而言，像素开口率的大小会直接影响到背光源的利用率， 亦会影响显示器的显示亮度，而影响像素开口率大小的主要因素之一，就是 显示面板中挡墙的面积。因此，为了提升像素开口率，相关厂商莫不努力研发各种技术，例如彩色滤光层在薄膜晶体管阵列上(CoIor Filter On Array, COA)、高开口率(Ultra High Aperture, UHA)与喷墨列印彩色滤光层在薄膜晶 体管阵列上(Ink-Jet Printing-Color Filter On Array, IJP-COA)，来减少挡墙的面 积。对于UP-COA技术而言，像素区与贯穿孔之间是藉由具有相同坡度的挡 墙侧壁来区隔。然而，具有相同坡度的挡墙侧壁会造成色阻溢流(overflow)出 像素区，造成成品率上的问题，更使得透明电极覆盖于贯穿孔时，产生断线 的问题。
技术实现思路
本专利技术的一技术态样为一种薄膜晶体管阵列，其挡墙能够提供至少两种 不同坡度的侧壁，以适应贯穿孔与像素区不同的需要。根据本专利技术的一实施方式， 一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列包含：　一基板；　至少一薄膜晶体管，位于所述基板上；　一第一挡墙，位于所述基板上，并在所述基板上至少区隔出一第一贯穿孔与一像素区，其中所述第一贯穿孔暴露出所述薄膜晶体管的一 漏极，且所述第一挡墙包含：　至少一第一侧壁，面向所述第一贯穿孔；以及　至少一第二侧壁，面向所述像素区，其中所述第一侧壁的坡度较所述第二侧壁的坡度缓；　一透明电极，通过所述第一贯穿孔，电性连接所述薄膜晶体管的所述漏极；以及　 　一色阻，填充于所述像素区中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄彦衡，林惠芬，陈宗凯，白佳蕙，洪桂彬，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]