像素结构以及像素结构的制作方法技术

本发明专利技术提供一种像素结构以及像素结构的制作方法。所述方法包括下列步骤：首先，提供基板，基板上已形成有主动元件以及电容电极线。接着，在基板上形成保护层，覆盖主动元件。接着，在保护层上形成遮光图案层，以定义出单元区域，其中在电容电极线上方未覆盖有遮光图案层。然后，进行喷墨程序，以在遮光图案层所围出的单元区域内形成彩色滤光图案。再来，移除部分的彩色滤光图案，以于主动元件上方的彩色滤光图案中形成第一开口。接着，移除第一开口所暴露出的保护层，以形成接触窗开口，其暴露出主动元件的一部分。然后，在彩色滤光图案上形成像素电极，其填入接触窗开口以与主动元件电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种像素结构的制作方法，且特别是有关于一种以喷墨印刷(Ink-Jet Printing)将彩色滤光层直接整合于薄膜晶体管阵列基板(Color Filter on Array, COA)来制作具有彩色滤光层的像素结构的制作方法。
技术介绍
液晶显示器具有高画质、体积小、重量轻、低电压驱动、低消耗功率及 应用范围广等优点，因此已取代阴极射线管(Cathode Ray Tube, CRT)成为新一 代显示器的主流。传统的液晶显示面板是由一具有彩色滤光层的彩色滤光基 板、 一薄膜晶体管阵列基板(TFT Army Substrate)以及配置于此两基板间的 一液晶层所构成。为了提升面板的解析度与像素的开口率，并且避免彩色滤 光基板与薄膜晶体管阵列基板接合时的对位误差，现今更提出了将彩色滤光 层直接整合于薄膜晶体管阵列基板(Color Filter on Array, COA)上的技术。目前将彩色滤光层直接整合于薄膜晶体管阵列基板的制作方法是先于基 板上形成主动元件以及电容电极线之后，再于基板上形成覆盖主动元件以及 电容电极线的第一保护层。接着，形成遮光图案层以及彩色滤光层之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：　提供一基板，所述基板上已形成有一主动元件以及一电容电极线；　在所述基板上形成一保护层，覆盖所述主动元件；　在所述保护层上形成一遮光图案层，以定义出一单元区域，其中在所述遮 光图案层内的所述电容电极线上方未覆盖有所述遮光图案层；　进行一喷墨程序，以在所述遮光图案层所围出的所述单元区域内形成一彩色滤光图案；　移除部分的所述彩色滤光图案，以于所述主动元件上方的所述彩色滤光图案中形成一第一开口；　移 除所述第一开口所暴露出的所述保护层，以形成一接触窗开口；以及　在所述彩色滤光图案上形...

【技术特征摘要】
1.一种像素结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括提供一基板，所述基板上已形成有一主动元件以及一电容电极线；在所述基板上形成一保护层，覆盖所述主动元件；在所述保护层上形成一遮光图案层，以定义出一单元区域，其中在所述遮光图案层内的所述电容电极线上方未覆盖有所述遮光图案层；进行一喷墨程序，以在所述遮光图案层所围出的所述单元区域内形成一彩色滤光图案；移除部分的所述彩色滤光图案，以于所述主动元件上方的所述彩色滤光图案中形成一第一开口；移除所述第一开口所暴露出的所述保护层，以形成一接触窗开口；以及在所述彩色滤光图案上形成一像素电极，其填入所述接触窗开口以与所述主动元件电连接。2. 如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述方法更 包括于所述电容电极线上方的所述彩色滤光图案中形成一第二开口，且所述 像素电极填入所述第二开口以与所述电容电极线构成一储存电容。3. 如权利要求2所述的像素结构的制作方法，其特征在于，移除部分的 所述彩色滤光图案，以形成所述第一开口与所述第二开口的方法包括从所述基板的背面对所述彩色滤光图案进行一背面曝光程序；以及 进行一显影程序，以于所述彩色滤光图案中形成所述第一开口与所述第 二开口。4. 如权利要求3所述的像素结构的制作方法，其特征在于，于形成所述 第一开口与所述第二开口之后，更包括形成一缓冲层，其覆盖所述遮光图案层以及所述彩色滤光图案； 于所述缓冲层上形成一图案化光刻胶层，其暴露出所述第一开口上方的所述缓冲层；以及以所述图案化光刻胶层作为掩膜，移除被暴露出的所述缓冲层以及所述 缓冲层下方的所述保护层，以形成所述接触窗开口。5. 如权利要求3所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述主动元 件包括一栅极、 一源极以及一漏极，所述接触窗幵口暴露出所述漏极，且所 述漏极包括有多个开口图案。6. 如权利要求2所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成所述第 一开口与所述第二开口的方法包括在所述彩色滤光图案上形成一图案化光刻胶层；以及 以所述图案化光刻胶层作为掩膜，移除被暴露出的所述彩色滤光图案， 以形成所述第一开口与所述第二开口 。7. 如权利要求6所述的像素结构的制作方法，其特征在于，于形成所述彩色滤光图案之后，更包括形成一缓冲层，其覆盖所述遮光图案层以及所述彩色滤光图案； 于所述缓冲层上形成一图案化光刻胶层，其暴露出部分的所述缓冲层；以及以所述图案化光刻胶层作为掩膜，移除被暴露出的所述缓冲层、所述彩色 滤光层以及所述保护层，以于所述彩色滤光层中形成所述第一开口与所述第二 开口，并且同时于所述第一开口下方的所述保护层中形成所述接触窗开口。8. 如权利要求7所述的像素结构的制作方法，其特征在于，移除被暴露 出的所述缓冲层、所述彩色滤光层以及所述保护层的方法包括进行一干式刻 蚀程序。9. 如权利要求2所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成所述第一开口与所述第二开口的方法包括进行一激光移除程序，以移除部分所述彩色滤光图案，而形成所述第一 开口与所述第二开口。10. 如权利要求9所述的像素结构的制作方法，其特征在于，于形成所述 第一幵口与所述第二开口之后，更包括-形成一缓冲层，其覆盖所述遮光图案层以及所述彩色滤光图案；于所述缓冲层上形成一图案化光刻胶层，其暴露出所述第一开口上方的所述缓冲层；以及以所述图案化光刻胶层作为掩膜，移除被暴露出的所述缓冲层以及所述 缓冲层下方的所述保护层，以形成所述接触窗开口。11. 如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述电容电 极线上方更包括设置有一上电极图案，且所述上电极图案与所述主动元件电 连接。12. 如权利要求11所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述接触 窗开口暴露出所述上电极图案与所述主动元件其中之一。13. —种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括 一主动元件以及一电容电极线，位于一基板上； 一保护层，覆盖所述主动元件；--遮光图案层，位于所述保护层上，以定义出一单元区域，其中在所述 遮光图案层内的所述电容电极线上方未覆盖有所述遮光图案层；一彩色滤光图案，位在所述遮光图案层所围出的所述单元区域内，其中 于所述主动元件上方的所述彩色滤光图案具有一第一开口 ，且所述第一开口 下方的所述保护层中具有一接触窗开口；以及一像素电极，位在所述彩色滤光图案上，其中所述像素电极通过所述接 触窗开口与所述主动元件电连接。14. 如权利要求13所述的像素结构，其特征在于，于所述电容电极线上 方的所述彩色滤光图案中具有一第二开口，且所述像素电极填入所述第二开 口以与所述电容电极线构成一储存电容。15. 如权利要求14所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构更包括一缓冲层，其覆盖所述遮光图案层以及所述彩色滤光图案。16. 如权利要求14所述的像素结构，其特征在于，所述主动元件包括一 栅极、 一源极以及一漏极，所述接触窗开口暴露出所述漏极，且所述漏极包...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄彦衡，陈宗凯，白佳蕙，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]